感测方法
    1.
    发明公开
    感测方法 审中-实审

    公开(公告)号:CN117157522A

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202280025972.9

    申请日:2022-03-30

    Abstract: 公开了一种感测环境中的目标材料的方法。所述方法包括将传感器暴露于环境,持续第一暴露时段。所述方法进一步包括在所述第一暴露时段后,将所述传感器与所述环境中的任何目标材料隔离,持续第一隔离时段,其中所述第一隔离时段小于所述传感器在所述第一暴露时段之后返回到基线的特性恢复时段。所述方法进一步包括:在所述第一隔离时段后,将所述传感器暴露于所述环境,持续第二暴露时段;以及根据所述传感器在第二次暴露期间的响应或所述传感器在第一次和第二次暴露期间的响应确定所述目标材料的浓度。

    用于检测环境中的目标气体的气体传感器

    公开(公告)号:CN111133304A

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201880062961.1

    申请日:2018-09-24

    Abstract: 一种气体传感器系统,其由对目标气体和第二气体均敏感的第一气体传感器(200)以及仅对目标气体敏感的第二传感器(300)制成。对两个气体传感器的响应进行处理以检测目标气体的存在或浓度。第一传感器包括半导体材料和电极,所述半导体材料对目标气体和第二气体两者的存在都敏感,所述电极对目标气体的存在敏感。第二传感器包括对目标气体和第二气体两者的存在都敏感的半导体材料,而且还包括处在所述电极中的至少一个的表面上的阻挡层,该阻挡层防止第二气体与电极相互作用。

    干扰和基线漂移校正传感器系统

    公开(公告)号:CN113631921B

    公开(公告)日:2024-08-23

    申请号:CN202080020965.0

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 一种传感器系统,其去除来自干扰物的响应和/或校正传感器的基线漂移以确定气体环境中目标材料的存在、浓度或浓度改变。流入系统的流体可以由阀布置引导至第一流体流动路径或第二流体流动路径。目标材料可以被第一流体流动路径中的过滤材料吸收。沿着第二气体流动路径流动的流体直接流向传感器。传感器对来自第一和第二流体流动路径的流体的响应可以被用于确定目标材料的存在、浓度或浓度改变。

    混合传感器方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115362369A

    公开(公告)日:2022-11-18

    申请号:CN202180023810.7

    申请日:2021-03-24

    Abstract: 公开了一种确定环境中第一材料或第二材料的存在、浓度或浓度变化的方法。所述方法包括测量第一传感器对所述第一材料和所述第二材料的响应,其中所述第一传感器是金属氧化物传感器、电化学传感器、光离子化传感器、红外传感器、催化燃烧传感器、光学粒子监测器、石英晶体微量天平传感器、表面声波传感器、腔衰荡光谱传感器或生物传感器中的一种。所述方法进一步包括测量第二传感器对所述第一材料和所述第二材料的响应,其中所述第二传感器是金属氧化物传感器、电化学传感器、光离子化传感器、红外传感器、催化燃烧传感器、光学粒子监测器、石英晶体微量天平传感器、表面声波传感器、腔衰荡光谱传感器、生物传感器或场效应晶体管传感器中的另一种。所述方法进一步包括根据第一传感器测量值和第二传感器测量值确定所述第一材料或所述第二材料的存在、浓度或浓度变化。

    干扰和基线漂移校正传感器系统

    公开(公告)号:CN113631921A

    公开(公告)日:2021-11-09

    申请号:CN202080020965.0

    申请日:2020-03-16

    Abstract: 一种传感器系统,其去除来自干扰物的响应和/或校正传感器的基线漂移以确定气体环境中目标材料的存在、浓度或浓度改变。流入系统的流体可以由阀布置引导至第一流体流动路径或第二流体流动路径。目标材料可以被第一流体流动路径中的过滤材料吸收。沿着第二气体流动路径流动的流体直接流向传感器。传感器对来自第一和第二流体流动路径的流体的响应可以被用于确定目标材料的存在、浓度或浓度改变。

    顶栅薄膜晶体管气体传感器

    公开(公告)号:CN112513625A

    公开(公告)日:2021-03-16

    申请号:CN201980048718.9

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 一种用于检测或测量目标气体的浓度的顶栅薄膜晶体管气体传感器。所述气体传感器被配置为使得目标气体可以通过顶栅并且与气体传感器的半导电层相互作用。顶栅可以不覆盖设置在顶栅下面的半导电层的沟道,以使得目标气体可以与沟道相通,而不被顶栅阻碍。顶栅可以用通道来图案化,目标气体可以通过这些通道通过顶栅到达半导电层中的沟道。顶栅可以可渗透目标气体,从而使得可以将目标气体传递到沟道。其上形成半导电层的基板可以可渗透目标气体,从而使得目标气体可以与沟道相通。

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