铜镓合金及其制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102206770A

    公开(公告)日:2011-10-05

    申请号:CN201110079953.8

    申请日:2011-03-31

    Abstract: 本发明涉及铜镓合金及其制造方法,提供即使是通过例如熔解铸造制造的Ga的组成比较大的铜镓合金块,也能减少合金块内部Ga浓度的不均、难以产生裂纹的适于溅射靶材的铜镓合金。该合金通过将镓浓度以摩尔浓度计为20%-40%、残余部分包括铜和不可避免的杂质的用熔解铸造法得到的铜镓合金块,切断加工为期望的溅射靶形状后,在500℃-650℃的温度下加热处理后,从该加热处理的温度至300℃以30℃/分以下的速度进行冷却而得。

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