公开(公告)号：CN106463548B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201580021586.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  楠原贤治

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。

公开(公告)号：CN106463548A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580021586.2

申请日：2015-05-22

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 伊藤宪和 ,  村尾彰了 ,  楠原贤治

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/02167 ,  C23C16/401 ,  C23C16/403 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的太阳能电池元件(10)具备：半导体基板(1)，在一个主面具有p型半导体区域；钝化层(9)，配置在p型半导体区域上，且包含氧化铝；以及保护层(11)，配置在钝化层(9)上，且包含含有氢和碳的氧化硅。