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公开(公告)号：CN113728124A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202080030844.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/44 , C04B41/87 , C23C14/08 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 提供一种耐等离子体性优异、耐久性高的等离子体处理装置用构件及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置用构件具备包含作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)、以及位于该基材上的以氧化钇为主成分的膜(3)，在膜(3)中，在氧化钇的晶格面偏离{111}方向的偏离角度为±10°以内的范围内取向的氧化钇的晶粒的面积率为45％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111699274A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201980012519.2
申请日：2019-02-15
IPC: C23C14/08 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C04B35/111 , C04B41/87
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用构件，具备基材和在该基材上以氧化钇为主成分的膜。而且，该膜中，闭口气孔的面积占有率为0.2％以下，由X射线衍射得到的氧化钇的(222)面的衍射峰的半峰宽为0.25°以下。本发明的等离子体处理装置具备上述等离子体处理装置用构件。
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公开(公告)号：CN113260732A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201980079404.5
申请日：2019-12-02
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C14/08 , C04B35/10 , C04B41/87 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用构件和具备它的等离子体处理装置，其耐等离子体性优异，膜对于基材的密接强度得到提高。等离子体处理装置用构件(1)具备如下而成：含有作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)；位于基材(2)之上的以稀土元素的氧化物、氟化物或氟氧化物为主成分的膜(3)；介于基材(2)和膜(3)之间，含有第一元素、钇、以及氧和氟中的至少任意一种的非晶质部(4)。
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公开(公告)号：CN113728124B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202080030844.4
申请日：2020-04-20
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C23C16/44 , C04B41/87 , C23C14/08 , H01L21/3065 , H01L21/31
Abstract: 提供一种耐等离子体性优异、耐久性高的等离子体处理装置用构件及等离子体处理装置。所述等离子体处理装置用构件具备包含作为金属元素或半金属元素的第一元素的基材(2)、以及位于该基材上的以氧化钇为主成分的膜(3)，在膜(3)中，在氧化钇的晶格面偏离{111}方向的偏离角度为±10°以内的范围内取向的氧化钇的晶粒的面积率为45％以上。
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公开(公告)号：CN111712586A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980012292.1
申请日：2019-02-15
IPC: C23C14/08 , H01L21/3065 , H05H1/46 , C04B35/111 , C04B41/87
Abstract: 本发明的等离子体处理装置用构件，具备基材和在该基材的至少一部分上的稀土类元素的氧化物的膜。该膜中，厚度的变异系数为0.04以下。本发明的等离子体处理装置，具备上述等离子体处理装置用构件。本发明的等离子体处理装置用构件，膜的厚度的偏差少。
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