大功率上下行切换装置和通信设备

    公开(公告)号:CN110932751B

    公开(公告)日:2025-02-07

    申请号:CN201911171376.8

    申请日:2019-11-26

    Abstract: 本申请涉及一种大功率上下行切换装置和通信设备。大功率上下行切换装置中,基于第一射频端口,射频切换开关和同步控制模块可配合完成上下行链路的切换;环形器的第一端口连接功率放大模块的输出端,第二端口连接第二射频端口,第三端口通过第一射频开关连接低噪放模块;第三端口还通过第一微带线分别连接大功率负载电阻和第二射频开关,以分别进行接地;第一微带线的第一端到第二端的射频阻抗为高阻状态。基于上述结构,下行反射功率可通过大功率负载电阻吸收,不影响上行链路;并且,在上行链路导通时,射频开关配合微带线阻抗特性的周期变换,能够保证射频功率不泄露至负载电阻,进而实现大功率容量的TDD切换,克服器件功率容量的限制。

    GaN放大管的控制电路与电压调节及信号收发装置

    公开(公告)号:CN110190819B

    公开(公告)日:2024-08-20

    申请号:CN201910579401.X

    申请日:2019-06-28

    Abstract: 本发明实施例公开了一种GaN放大管的控制电路与电压调节及信号收发装置,用以实现TDD时分复用模式的GaN放大管上电、掉电时序的控制。所述GaN放大管的控制电路,用于控制时分复用TDD通信系统下行发送链路的末级GaN放大管,包括:供电模块、切换模块、以及与所述供电模块和所述切换模块相连接的控制模块,所述供电模块,用于提供第一电压;所述切换模块,用于提供控制向所述GaN放大管栅极供电的第二电压;所述控制模块,用于根据所述第一电压与所述第二电压的关系,控制所述GaN放大管导通时栅极比漏极先上电,并控制所述GaN放大管关断时栅极比漏极后掉电。

    一种功率检测器及其控制方法、装置、设备、介质

    公开(公告)号:CN110275061B

    公开(公告)日:2024-07-19

    申请号:CN201910590453.7

    申请日:2019-07-02

    Abstract: 本发明公开了一种功率检测器及其控制方法、装置、设备、介质,用以在实现对多个待检测支路进行功率检测的同时,降低成本。所述功率检测器的控制方法,包括:在确定接收到用于指示进行功率检测的指示信号时,检测用于切换与所述功率检测模块相连接的待检测支路的中断信号;根据检测到的中断信号的次数,生成控制信号,所述控制信号用于指示所述选择模块在多条待检测支路中选择一条与所述功率检测模连接;将所述控制信号发送至所述选择模块。

    TDD制式下功放功率控制方法、系统、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN111669134B

    公开(公告)日:2023-10-20

    申请号:CN202010491232.7

    申请日:2020-06-02

    Abstract: 本公开涉及一种TDD制式下功放功率控制方法、系统、设备及存储介质。其中,TDD制式下的功放功率控制方法,包括:获取功放单元的输出功率;当检测到所述功放单元的输出功率满足功率修正条件时,基于当前时隙下的目标修正值,调整用于调控功放单元功率的参考信号至目标参考信号;根据所述目标参考信号控制对所述功放单元功率的衰减。本公开实施例可以对TDD制式下的功放功率进行准确、快速的控制。

    信号传输方法、信号接入及覆盖单元

    公开(公告)号:CN114024557B

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202111405030.7

    申请日:2021-11-24

    Abstract: 本发明提供信号传输方法、信号接入及覆盖单元,其中,应用于信号接入单元或信号覆盖单元的方法包括:接收高频信号,获取所述高频信号的信号带宽,从预设的若干个下变频带宽范围中确定所述信号带宽所在的一个下变频带宽范围,根据所述信号带宽所在的下变频带宽范围控制所述高频信号下变频至中频信号,将所述中频信号进行传输,该方法在下变频过程中,基于高频信号的信号带宽所在的下变频带宽范围确定下变频后的中频频率,最大程度地最小化下变频得到的中频信号的频率,最大限度地降低传输的损耗,且整体方法的运算难度低、运算效率高、运行该方法的单元的设计成本和设计难度都较低。

    射频发射装置及其实现方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116015320A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211720121.4

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本公开涉及射频发射装置及其实现方法。该射频发射装置包括功率放大器以及微处理单元;所述功率放大器包括载波功放模块以及信号峰均比检测模块;所述信号峰均比检测模块用于检测所述载波功放模块的输入信号峰均比检测电压以及所述载波功放模块的输出信号峰均比检测电压;所述微处理单元用于根据所述载波功放模块的输入信号峰均比检测电压以及所述载波功放模块的输出信号峰均比检测电压确定所述载波功放模块的输入信号峰均比与所述载波功放模块的输出信号峰均比,并对输入所述载波功放模块的信号幅值进行调整。本公开提供的技术方案,能够实现即不影响载波功放模块的正常工作,又能保护载波功放模块内的器件不被损坏,起到过载保护的作用。

    功率放大设备及其信号处理方法、装置

    公开(公告)号:CN109217825B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN201811234556.1

    申请日:2018-10-23

    Abstract: 本发明涉及一种功率放大设备及其信号处理方法、装置,所述设备包括分别连接功率放大器、下变频器、上变频器的控制器,以及连接在下变频器和上变频器之间的峰均比调节装置;峰均比调节装置将检测中频信号得到的均值信息和峰值信息传输给控制器;控制器根据均值信息和峰值信息,得到峰均比信息,并将处理目标峰均比信息和峰均比信息得到的均值调节信息、传输给峰均比调节装置;峰均比调节装置根据均值调节信息处理中频信号,得到中间信号,并将中间信号传输给上变频器,以使上变频器向功率放大器输出处理中间信号得到的射频信号。采用本发明实施例能够实现对信号峰均比的优化,有效提高了功放线性,在满足通信应用的同时降低了功放设备的成本。

    GaN HEMT控制电路
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109462388B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN201811230522.5

    申请日:2018-10-22

    Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路,包括栅压切换电路,以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端;栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路;第一开关电路的第一端接入TDD切换信号,第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端;第二开关电路的第二端连接栅极电压源,第二开关电路的第三端连接栅压端;第三开关电路的第二端连接负电压电源端,第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断,第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断,能够切换栅压端的电压;基于上述结构,可利用TDD上下行切换信号,控制GaN HEMT的栅极电压,实现GaN HEMT的快速关断与开启。

    一种驻波比自动电调装置及自动电调方法

    公开(公告)号:CN112737705A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011592667.7

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本公开涉及驻波比自动电调装置及自动电调方法,驻波比自动电调装置包括驻波比检测电路,用于检测驻波比自动电调装置对应端口的射频信号的驻波比;其中,端口包括输入端口和/或输出端口;控制电路,与驻波比检测电路连接,控制电路用于控制其自身输出的电压控制信号不断变化,以及根据检测到的驻波比的变化情况获取目标驻波比,并根据目标驻波比调节输出的电压控制信号;驻波比电调电路,与控制电路连接,用于根据电压控制信号自动调节驻波比自动电调装置对应端口的射频信号的驻波比至目标驻波比。通过本公开的技术方案,能有效检测通信系统的驻波比并对驻波比进行自动调试,提升了通信设备的生产效率,提高了通信设备使用的可靠性。

    功率合成装置和方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112688648B

    公开(公告)日:2024-11-05

    申请号:CN202011602774.3

    申请日:2020-12-29

    Abstract: 本申请涉及一种功率合成装置和方法,包括电桥分路器、矢量信号调节器、第一信号放大模块、第二信号放大模块、电桥合路器和控制模块,电桥分路器的输出端分别与矢量信号调节器的输入端、第一信号放大模块的输入端连接,矢量信号调节器的输出端与第二信号放大模块的输入端连接,第一信号放大模块和第二信号放大模块的输出端与电桥合路器的输入端连接,电桥合路器的隔离端与控制模块的输入端连接,控制模块的输出端与矢量信号调节器的输入端连接,控制模块检测电桥合路器的隔离端的输出信号的第一电压,根据第一电压控制矢量信号调节器自适应地调节所在支路的信号,提高了功率合成装置的合成效率。

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