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公开(公告)号：CN115552507B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202180000504.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/30 , G02F1/133 , G09F9/30 , H10K59/121 , H10K59/123 , H10K59/131
Abstract: 提供一种发光基板。所述发光基板包括多个发光控制单元(CU(m,n))，其被布置成M行和N列，M是大于等于一的整数，N是大于等于一的整数，其中，所述多个发光控制单元(CU(m,n))中的相应一个发光控制单元包括被布置成J行和I列的多个发光元件，J是大于等于一的整数，I是大于等于一的整数，所述I列发光元件中的第i列包括J行发光元件，1≤i≤I；(M×J)个第一电压信号线(Pm‑1,...,Pm‑J)；以及(M×J)组第二电压信号线(Ghm‑1,...,Ghm‑J)。
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公开(公告)号：CN115084069B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202110273812.3
申请日：2021-03-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/49 , H01L21/60 , H10H29/20 , H10N39/00
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底；设置于所述衬底的多个芯片，每个芯片包括芯片主体和设置于所述芯片主体上的多个端子；设置于所述衬底的多个固定连接部；设置于所述衬底的端子扩展层，所述端子扩展层包括导电材料，其中，所述多个固定连接部分别邻近所述多个芯片设置；所述半导体装置还包括位于所述端子扩展层中的多个扩展走线，所述扩展走线用于电连接所述多个芯片；以及用于电连接两个芯片的扩展走线至少包括第一走线段和第二走线段，所述第一走线段用于电连接一个芯片的端子与该芯片邻近的一个固定连接部，所述第二走线段用于连接两个芯片之间的两个固定连接部。
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公开(公告)号：CN116964758A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280000310.6
申请日：2022-02-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L33/08
Abstract: 一种发光器件和发光装置，所述发光器件包括至少两个沿第一方向设置且串联的外延结构，相邻的两个外延结构之间设置有两层电流扩散层和透明粘胶层，并且相邻的两个外延结构中的每一个外延结构一侧均设置有一层电流扩散层，所述透明粘胶层设置在所述两层电流扩散层之间，所述透明粘胶层中设置有金属纳米颗粒。
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公开(公告)号：CN115552507A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202180000504.1
申请日：2021-03-04
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 提供一种发光基板。所述发光基板包括多个发光控制单元(CU(m,n))，其被布置成M行和N列，M是大于等于一的整数，N是大于等于一的整数，其中，所述多个发光控制单元(CU(m,n))中的相应一个发光控制单元包括被布置成J行和I列的多个发光元件，J是大于等于一的整数，I是大于等于一的整数，所述I列发光元件中的第i列包括J行发光元件，1≤i≤I；(M×J)个第一电压信号线(Pm‑1,...,Pm‑J)；以及(M×J)组第二电压信号线(Ghm‑1,...,Ghm‑J)。
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公开(公告)号：CN115452722A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211198989.2
申请日：2022-09-29
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种荧光寿命检测装置及检测方法，属于检测装置技术领域，包括：基板以及设置在基板上的至少一个检测单元；检测单元包括发光模块、探测模块和控制模块，发光模块和探测模块分别与控制模块连接；发光模块用于响应于控制模块发送的发光信号，朝向待测样品发出光线；探测模块用于探测待测样品被光线激发后辐射的荧光光子，并生成探测信号发送给控制模块；控制模块用于在发送发光信号时开始计时，并在接收到探测信号后停止计时，以根据开始发送发光信号与接收到探测信号之间的时间间隔，确定待测样品的荧光寿命。通过本申请实施例提供的一种荧光寿命检测装置及检测方法，可以降低测量荧光寿命设备的成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115084068A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110273811.9
申请日：2021-03-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/49 , H01L21/60 , H01L25/18
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底；设置于所述衬底的芯片，所述芯片包括芯片主体和设置于所述芯片主体上的多个端子；设置于所述衬底的端子扩展层，所述端子扩展层包括导电材料，其中，所述端子扩展层和至少一个端子位于所述芯片主体的同一侧，所述半导体装置还包括位于所述端子扩展层中的多个扩展走线，所述多个扩展走线分别与所述多个端子电连接，用于引出所述多个端子；以及至少一个扩展走线在所述衬底上的正投影完全覆盖与该扩展走线电连接的端子在所述衬底上的正投影。
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公开(公告)号：CN114551669A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210179662.4
申请日：2022-02-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示装置，其中，该发光器件包括：第一金属层；第一磊晶结构，位于第一金属层的一侧；第二磊晶结构，位于第一磊晶结构的背离第一金属层的一侧；第二金属层，位于第一磊晶结构与第二磊晶结构之间，第二金属层具有镂空部；透明导电层，位于第二磊晶结构的背离第一金属层的一侧。本公开实施例的技术方案可以提升发光器件的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110277057B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910573903.1
申请日：2019-06-28
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: G09G3/3208
Abstract: 本发明实施例公开了一种显示面板、信号处理方法及显示装置，所述显示面板包括：包括矩阵排布的多个子像素，所述子像素包括发光结构层和光敏结构层；所述光敏结构层中设置有光敏传感单元和信号处理单元，其中：所述光敏传感单元用于采集目标物体的光线并转换成电信号；所述信号处理单元用于对所述电信号进行数字化处理。本发明实施例通过在显示面板设置光敏传感单元和信号处理单元，使得光敏传感单元的输出信号直接由信号处理单元进行处理，无需经过长距离传输，大大降低信号噪声，使得抗噪性能大大提升。
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公开(公告)号：CN108303819B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710021787.3
申请日：2017-01-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1335
Abstract: 本发明公开了一种背光源及其制造方法、导光板及其制造方法及显示装置，属于显示技术领域。背光源为直下式背光源，所述背光源包括：导光板和设置在所述导光板的入光面的多个发光单元；其中，所述导光板包括：导光板本体和设置在所述导光板本体上的量子点QD层；所述多个发光单元发射的光线能够照射在所述QD层上，使所述QD层发光。本发明解决了现有技术中背光源整体结构受到发光单元与导光板之间距离的限制，背光源调整的灵活性较低的问题，提高了背光源的调整灵活性。本发明用于背光源的制造。
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公开(公告)号：CN110350079A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910637203.4
申请日：2019-07-15
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司
IPC: H01L41/047 , H01L41/113 , H01L41/27
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，尤其涉及一种压电元件及其制备方法和超声传感器。能够减小应力阻尼对器件性能的影响。一种压电元件，包括支撑板，以及沿远离支撑板的方向依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层；第一电极层和第二电极层通过第一压电层隔离，第二电极层和第三电极层通过第二压电层隔离；沿支撑板的厚度方向，第一电极层与第二电极层中的电极的正投影无重叠，而均与第三电极层中的电极的正投影重叠；或者，第二电极层与第三电极层中的电极的正投影无重叠，而均与第一电极层中的电极的正投影重叠；或者，第三电极层与第一电极层中的电极的正投影无重叠，而均与第二电极层中的电极的正投影重叠。
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