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公开(公告)号：CN110071080A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910052450.8
申请日：2019-01-21
Applicant: 丰田自动车株式会社
Inventor： 畑佐启太 , 竹田洋之 , 高萩智
IPC: H01L23/36
Abstract: 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：半导体元件；第一导体，经由第一焊料层而接合于半导体元件的上表面；及第二导体，经由第二焊料层而接合于第一导体的上表面。第一导体具备在与第一导体的上表面相邻的侧面沿着半导体元件、第一导体及第二导体的层叠方向设置的至少一个槽。
