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公开(公告)号：CN108604605A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201680080352.X
申请日：2016-12-19
Applicant: 丰田自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/868 , H02M7/48
Abstract: 二极管具有：第一导电型的势垒区(76a)，形成于漂移区(74a)与第二杂质区(77a)之间，杂质浓度比漂移区高；及第二导电型的电场扩展防止区(75a)，形成于势垒区与漂移区之间。另外，二极管具有沟槽栅极，该沟槽栅极从半导体基板的第二主面贯穿第二杂质区以及势垒区而形成至电场扩展防止区，且具有用于施加栅极电压的沟槽电极。并且，作为栅极电压，向栅电极施加与第二电极的电位差的绝对值被设为寄生晶体管的阈值电压以上的寄生栅极电压，所述寄生晶体管由第二杂质区、势垒区和电场扩展防止区形成。
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