公开(公告)号：CN114927501A

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN202210121575.3

申请日：2022-02-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 山田哲也

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)中形成对准标记(30)；并且在所述对准标记(30)的形成之后，在所述镓基化合物半导体层(10)的元件区域(10B)中形成元件结构。所述对准标记(30)的形成还包括：将金属离子注入到所述镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)的表面层部分的一部分中；和对所述镓基化合物半导体层(10)进行退火。

公开(公告)号：CN110620519B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201910520955.2

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 高桥芳光 ,  藤枝真人 ,  山田哲也 ,  小俣隆士 ,  松原清隆 ,  中村诚 ,  野辺大悟

IPC: H02M7/48 ,  H02P27/08

Abstract: 一种用于电动机的驱动系统，包括：第一逆变器，所述第一逆变器具有第一开关元件；第二逆变器，所述第二逆变器具有第二开关元件；以及控制单元，所述控制单元具有第一逆变器控制计算部分、第二逆变器控制计算部分和控制同步部分，所述第一逆变器控制计算部分基于第一载波和第一调制波对每个第一开关元件的接通/断开操作进行控制的第一逆变器控制计算部分，所述第二逆变器控制计算部分基于第二载波和第二调制波对每个第二开关元件的接通/断开操作进行控制，所述控制同步部分使第一载波与第二载波同步。当第一电压源和第二电压源的电压的总和大于电压判断阈值，并且旋转电机的转矩小于转矩判断阈值时，控制同步部分使第一载波与第二载波同步。

公开(公告)号：CN108321204A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201711384307.6

申请日：2017-12-20

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  大川峰司 ,  森朋彦 ,  上田博之

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供开关元件及开关元件的制造方法，开关元件具备：半导体基板，具有第一n型半导体层、由外延层构成的p型的体层、通过体层而与第一n型半导体层分离的第二n型半导体层；栅极绝缘膜，覆盖跨及第一n型半导体层的表面、体层的表面及第二n型半导体层的表面的范围；及栅电极，隔着栅极绝缘膜而与体层相向。第一n型半导体层与体层的界面具有倾斜面。倾斜面以随着沿横向远离体层的端部而体层的深度变深的方式倾斜。倾斜面配置在栅电极的下部。

公开(公告)号：CN110620519A

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201910520955.2

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

Inventor： 高桥芳光 ,  藤枝真人 ,  山田哲也 ,  小俣隆士 ,  松原清隆 ,  中村诚 ,  野辺大悟

IPC: H02M7/48 ,  H02P27/08

Abstract: 一种用于电动机的驱动系统，包括：第一逆变器，所述第一逆变器具有第一开关元件；第二逆变器，所述第二逆变器具有第二开关元件；以及控制单元，所述控制单元具有第一逆变器控制计算部分、第二逆变器控制计算部分和控制同步部分，所述第一逆变器控制计算部分基于第一载波和第一调制波对每个第一开关元件的接通/断开操作进行控制的第一逆变器控制计算部分，所述第二逆变器控制计算部分基于第二载波和第二调制波对每个第二开关元件的接通/断开操作进行控制，所述控制同步部分使第一载波与第二载波同步。当第一电压源和第二电压源的电压的总和大于电压判断阈值，并且旋转电机的转矩小于转矩判断阈值时，控制同步部分使第一载波与第二载波同步。

公开(公告)号：CN114927501B

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202210121575.3

申请日：2022-02-09

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社

Inventor： 山田哲也

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)中形成对准标记(30)；并且在所述对准标记(30)的形成之后，在所述镓基化合物半导体层(10)的元件区域(10B)中形成元件结构。所述对准标记(30)的形成还包括：将金属离子注入到所述镓基化合物半导体层(10)的非元件区域(10A)的表面层部分的一部分中；和对所述镓基化合物半导体层(10)进行退火。

公开(公告)号：CN108242399A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711351298.0

申请日：2017-12-15

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 山田哲也 ,  上田博之 ,  森朋彦

IPC: H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种开关元件的制造方法，包括如下工序：在第一n型半导体层向表面露出的GaN半导体基板的所述表面形成凹部；使p型的体层在所述凹部内和所述GaN半导体基板的所述表面生长；将所述体层的表层部除去，使所述第一n型半导体层向所述GaN半导体基板的所述表面露出并且使所述体层残留在所述凹部内；形成通过所述体层而从所述第一n型半导体层分离并且向所述GaN半导体基板的所述表面露出的第二n型半导体层；及形成隔着绝缘膜与所述体层对向的栅电极。