公开(公告)号：CN118825149A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410467985.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 丰田合成株式会社 ,  学校法人名城大学

Inventor： 奥野浩司 ,  斋藤义树 ,  永田贤吾 ,  竹内哲也 ,  上山智 ,  岩谷素显 ,  石黑永孝 ,  可知朋晃 ,  藤田真帆

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供高质量的III族氮化物半导体。III族氮化物半导体的制造方法具有：晶核层形成工序，在蓝宝石基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11；低温三维生长层形成工序，在比晶核层形成工序低的温度，从核11A使AlGaN或AlN生长并使相邻的来自核11A的晶体彼此合并，形成低温三维生长层12A；以及高温三维生长层形成工序，在比低温三维生长层形成工序高且为晶核层形成工序的温度以下的温度，从低温三维生长层12A使AlGaN或AlN生长而形成高温三维生长层12B。