公开(公告)号：CN101714599B

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN200910175610.4

申请日：2009-09-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 破田野贵司 ,  神谷真央

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。

公开(公告)号：CN101714599A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910175610.4

申请日：2009-09-24

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 破田野贵司 ,  神谷真央

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/145 ,  H01L33/32

Abstract: 提供一种用于制造具有面朝上构造的第III族氮化物半导体发光器件的方法，该发光器件包括p型层和由ITO组成的透明电极，在该方法中同时形成透明电极上的p焊盘电极和n型层上的n电极。p焊盘电极和n电极由镍/金组成。将所产生的结构在570℃进行热处理从而能够在p焊盘电极和n电极中建立良好的接触。热处理还提供透明电极中紧挨p焊盘电极下方的区域，该区域与p型层之间的接触电阻高于透明电极中其它区域与p型层之间的接触电阻。因此，活性层处于所提供的区域下方的区域不发光，从而能够提高发光器件的发光效率。