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发明公开
去除钼的一氟化物至五氟化物的方法和半导体器件的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN117642843A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202280046166.X

申请日：2022-06-29

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 菊池亚纪应 , 品川诚人

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明通过使含卤素气体与沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx(其中，x表示大于0且小于6的数)的部件接触，从所述部件去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除MoFx、或MoFx和MoOFx的去除方法、以及包括该去除方法的半导体器件的制造方法，提供一种从沉积或覆盖有以杂质的形式混入MoF6中的MoFx、或MoFx和MoOFx的部件去除该沉积物或覆盖物的方法，以及一种半导体器件的制造方法，其包括从沉积或覆盖有MoFx、或MoFx和MoOFx的半导体器件制造装置去除该沉积物或覆盖物的工序，并能够避免所述制造装置的堵塞、污染。

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