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公开(公告)号：CN116401985A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211691051.4
申请日：2022-12-27
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G06F30/331 , G06F30/3312
Abstract: 一种集成电路单粒子软错误仿真等效故障注入方法，基于地面加速器试验粒子注入位置分布和故障引入机制分析、芯片集成的各单元电路单粒子敏感区域占比分析、数量占比分析等因素考虑，通过等效故障注入样本集抽样方法，为芯片级单粒子软错误仿真输入条件确定提供支持，更加准确的仿真地面试验粒子引发的集成电路单粒子软错误截面。
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公开(公告)号：CN114944335A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210398920.8
申请日：2022-04-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/331 , H01L21/26
Abstract: 一种硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射加固工艺，包括：选择合适掺杂浓度的硅外延片，通过四次氧化工艺，基区、发射区的光刻和杂质注入，重金属掺杂，合金化，钝化，刻蚀等工艺流程，可以制作出一种硅基PNP晶体管。本发明能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以大大增强双极器件的抗总剂量辐照性能，能有效提高硅PNP晶体管抗电离总剂量辐射能力。
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公开(公告)号：CN111007330B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201911108078.4
申请日：2019-11-13
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种单粒子锁定效应防护电阻的甄选方法和系统，所述方法包括：根据获得的待防护对象的单粒子锁定效应电参数测试结果，给出锁定电流值；对待防护对象的正常工作电性能条件进行分析，确定待防护对象在工作条件下的正常工作电压值、正常工作电流值、以及正常工作时的供电电压值数据范围；根据锁定电流值和正常工作电压值，确定待防护对象串联电阻的最小值；根据正常工作电流值和最小供电电压值，确定待防护对象串联电阻的最大值；根据确定的待防护对象串联电阻的最小值和最大值，确定待防护对象串联电阻的甄选结果。本发明能够解决空间应用中COTS器件等单粒子锁定较敏感器件的防护问题。
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公开(公告)号：CN103871873B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410135985.9
申请日：2014-04-04
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司 , 中国空间技术研究院
IPC: H01L21/328 , H01L21/265
Abstract: 基于发射区几何结构的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域。它是为了解决现有的双极晶体管及电路在空间辐射环境中的电流增益损伤程度大，双极器件抗辐照能力低的问题。本发明的双极器件抗辐照加固方法保留了传统的双极器件工艺技术，制造工艺步骤非常简单。本发明所提出的新型技术可通过改进发射区几何结构，能大幅度降低电离辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态对器件性能参数的影响，显著增强双极器件的抗辐照能力，同比增强了2‑5倍。本发明适用于电子技术领域。
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公开(公告)号：CN102937698B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210390638.1
申请日：2012-10-15
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/3167
Abstract: 一种DC/DC转换器单粒子效应检测系统及检测方法，系统包括输出电压调整电路、输入保护电路、电源及其监测电路、多路采集电路以及控制与数据处理系统；检测时，控制与数据处理系统给电源及其监测电路发出控制信号令电源及其监测电路给被测DC/DC器件提供工作电压，输入保护电路对被测DC/DC的输入端进行保护；被测DC/DC转换器的输出端连接有负载电阻，输出端的输出电压通过输出电压调整电路后由多路采集电路进行采集，再送入控制与数据处理系统，通过对开冒后的被测DC/DC转换器的辐照敏感区域进行高能粒子照射，对比照射前后控制与数据处理系统接收到的电压信号，从而得出是否发生单粒子效应的结论。
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公开(公告)号：CN103344897B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310231286.X
申请日：2013-06-09
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非破坏性功率MOS管单粒子烧毁效应检测电路及方法，电路包括栅极偏置电路、漏极偏置电路和信号采集电路，方法包括对功率MOS管施加一定的偏置，在重离子辐照的情况下检测MOS管的源极电流，通过电流变化曲线来判断MOS管单粒子烧毁（SEB，single-event burnout）现象是否发生。本检测方法根据MOS管器件性能参数，设置器件的源极和漏极限流电阻和充放电电容，来保证SEB现象发生时的源极电流在可被检测的范围内，同时又确保器件未被烧毁而造成MOS管的破坏性失效。本发明方法简单，可以检测一只MOS管SEB效应的多次发生，同时又具有非破坏性的特点。
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公开(公告)号：CN103323627B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310247463.3
申请日：2013-06-20
Applicant: 中国空间技术研究院
IPC: G01R1/00
Abstract: 一种单粒子试验样品开帽保护装置，包括：C型固定底座、纵向可伸缩旋转连杆、横向可移动连杆、锁紧旋钮、滑动固定端、皮筋、橡胶吸盘和阻挡布。在对金属盖板陶瓷封装单粒子试验样品开帽时，将本开帽保护装置上的橡胶吸盘与器件金属盖板连接，调整开帽保护装置与器件的距离与角度，使皮筋处于合适的拉伸长度、角度。当撬起金属盖板后，金属盖板将在皮筋的带动下离开器件表面，金属盖板弹射到阻挡布上时，将卸去弹力落到桌面，从而实现对器件金属盖板在开帽过程中的运动方向和最终下落位置进行控制，保护被开帽器件。
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公开(公告)号：CN103869199A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201410136726.8
申请日：2014-04-04
Applicant: 中国空间技术研究院 , 哈尔滨工业大学 , 石家庄天林石无二电子有限公司
IPC: G01R31/00
Abstract: 一种基于高温氢气浸泡技术的双极型器件低剂量率增强效应加速试验方法，涉及电子技术领域。本发明是为了解决现有的地面实验采用实际空间环境的低剂量率评估电子元器件进行抗辐射能力，导致辐照时间长的问题。本发明所述的采用TCAD软件模拟氢气气氛下的双极型器件电性能及电离辐射缺陷的变化规律，根据氢气气氛中双极型器件内的氧化物电荷与界面态密度，获得氢气浸泡的时间与氢气浓度，通过氢气浸泡、加热，加速双极型器件内部的电离辐射缺陷产生，从而起到加速低剂量率增强效应评价的作用，达到用高温氢气浸泡条件下高剂量率辐照双极型器件与低剂量率条件下辐照双极型器件的辐照时间相比所用的时间短的目的。它可用于航天电子系统中。
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