公开(公告)号：CN105866983A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610216678.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李伟 ,  狄增峰 ,  齐功民 ,  张苗 ,  母志强 ,  王曦

IPC: G02F1/015 ,  H01L31/115 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G02F1/015 ,  B82Y30/00 ,  G02F2001/0154 ,  H01L31/115

Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。

公开(公告)号：CN105866983B

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201610216678.2

申请日：2016-04-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 李伟 ,  狄增峰 ,  齐功民 ,  张苗 ,  母志强 ,  王曦

IPC: G02F1/015 ,  H01L31/115 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明提供一种锗银复合材料及其在光电器件中的应用，所述锗银复合材料包括本征锗及埋在所述本征锗中的银纳米颗粒。所述锗银复合材料可以通过离子注入法将银离子注入到本征锗中并退火得到。本发明可以利用银纳米颗粒的局域表面等离子体共振增强作用，以及纳米颗粒之间表面等离子体共振耦合排斥作用，调控共振增强峰位频率在近红外波段，从而增强锗在近红外波段的光电响应。通过控制纳米银颗粒在本征锗中的密度，可以有效的控制增强锗光电响应的频谱范围从可见光到近红外。

公开(公告)号：CN105742443A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610187620.X

申请日：2016-03-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  李伟 ,  齐功民 ,  张苗 ,  母志强 ,  王曦

IPC: H01L33/34 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/34 ,  H01L33/02

Abstract: 本发明提供一种基于表面等离子体的硅基光源，所述硅基光源包括基底及形成于所述基底上的Ω阵列微纳结构；所述Ω阵列微纳结构包括至少两个Ω微纳结构单元；其中，所述Ω微纳结构单元包括：发光部；环绕包裹所述发光部部分表面的波导部，且所述波导部未覆盖所述发光部的出光面；环绕包裹所述波导部部分表面的金属层，用以在所述金属层及所述波导部界面上产生表面等离子体；所述金属层底部与所述基底相接触。本发明通过调控材料来调控本征热发光频带，通过集成一系列不同半径R的内层发光材料实现宽频热发光效率增强，并且可以实现光学模式峰位与本征热发光峰位共振使发光效率达到峰值。