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公开(公告)号：CN119725100A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202311251139.9
申请日：2023-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/50
Abstract: 本发明提供一种半导体结构及半导体工艺方法，方法包括：将异质硅基的第一衬底与第二衬底进行预键合，得到键合结构；对得到的键合结构进行预退火；在第一衬底和第二衬底之间的键合界面插入尖锐物，打开键合界面以去除键合界面的气泡；抽出尖锐物，使键合界面再次键合；对去除气泡后的键合结构进行退火以加固键合。本发明通过对预键合的键合界面插入尖锐物去除异质硅衬底之间键合界面的气泡，在不影响半导体结构性能的前提下得到无气泡的键合界面，提高异质键合结构的键合率，流程设备简单易操作，对其他工艺没有影响，键合强度不受影响；另外，利用多次重复预退火并递增温度，在排净气泡的同时减少能量消耗。
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