公开(公告)号：CN1780012A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510030637.6

申请日：2005-10-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  马友鹏 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO2，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO2，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I－V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。

公开(公告)号：CN100356607C

公开(公告)日：2007-12-19

申请号：CN200510030637.6

申请日：2005-10-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 宋志棠 ,  马友鹏 ,  封松林 ,  陈邦明

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及一种纳米硫系化合物相变存储器的制备方法，属于微电子领域。本发明的特征在于，在硅基片上，先生长一层SiO2，然后在上面沉积一层底电极。接着在电极上面，均匀生长一些相变纳米点，最后沉积一层相变薄膜。退火处理后，可在电极上形成较高的纳米点。接着沉积一层SiO2，用CMP进行抛光使其平整，沉积顶电极。整个存储器的结构见图8。施加脉冲信号，并测量其I-V特性，电阻率有较大的变化。本发明通过生长硫系化合物纳米点，为制备相变存储器提供了一种新的方法。