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公开(公告)号：CN101214950A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810032806.3
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种制备单壁碳纳米管的方法，属于纳米材料制备领域。本发明采用金刚石纳米颗粒为催化剂或成核模板，以含碳的原料气体为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中制备单壁碳纳米管。本发明由于采用金刚石纳米颗粒作为催化剂或成核模板制备单壁碳纳米管，可避免采用任何金属催化剂制备单壁碳纳米管所带来的非碳元素对单壁碳纳米管的污染，且无需考虑常规金属催化剂在高温下因聚集而催化失效的问题，同时具有催化效率高、操作简单的特点。
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公开(公告)号：CN101357757B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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公开(公告)号：CN101357757A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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