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公开(公告)号：CN102437017B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110297803.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102398889A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110298598.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明涉及一种在(100)型SOI硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性腐蚀特性在(100)SOI硅片表面设计最小线宽在1μm以上的两个或多个经腐蚀后可在腐蚀槽中间形成特征尺寸从几纳米至几百纳米的单晶硅纳米结构的并列的腐蚀窗口。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、氧化、腐蚀工艺，图形最小线宽可满足普通光刻掩模板制作需求，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米线结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102437017A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110297803.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN102398893A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110297805.3
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN101357757B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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公开(公告)号：CN101357757A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810032805.9
申请日：2008-01-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明公开了一种同时制备多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明采用含钠离子的溶液处理表面为Si或SiO2的衬底，使用铁蛋白作为催化剂源，用于催化制备以含碳原料气和氢气为碳纳米管生长气源，用化学气相沉积法在卧式电阻炉中实现多方向水平定向单壁碳纳米管阵列的生长。本发明提供的方法可以在衬底上同时获得多个方向水平定向生长的单壁碳纳米管阵列，且操作简单。
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