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公开(公告)号:CN112540105B
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202011442807.2
申请日:2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域,本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器,其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层;该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层;该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层;该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层,该修饰层的材料为杯芳烃,该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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公开(公告)号:CN112540105A
公开(公告)日:2021-03-23
申请号:CN202011442807.2
申请日:2020-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本申请涉及气体传感器技术领域,本申请公开了一种用于检测有机磷化合物的气体传感器,其包括栅极绝缘结构、有机半导体层、源漏极和修饰层;该栅极绝缘结构的顶部设有该有机半导体层;该有机半导体层的顶部设有该源漏极和该修饰层;该源漏极的源极和漏极之间设有该修饰层,该修饰层的材料为杯芳烃,该修饰层用于调节该气体传感器的灵敏度和气体选择性。本申请提供的该气体传感器具有灵敏度高和对有机磷化合物选择性高的特点。
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公开(公告)号:CN111551587A
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN202010284655.1
申请日:2020-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/00
Abstract: 本申请提供一种气体传感器及其制备方法和调控气体传感器性能的方法,该气体传感器为有机场效应晶体管气体传感器,包括:绝缘层;敏感材料层;敏感材料层设于绝缘层的上表面;源极和漏极;源极和漏极采用叉指电极制备形成;叉指电极设于敏感材料层的上表面;本申请实施例提供的有机场效应晶体管气体传感器的敏感材料层的分子排布能够通过调整敏感材料层制备工艺进行调控;通过调控敏感材料的分子排布能够优化气体传感器的性能,且不同分子排布状态的敏感材料制备成的气体传感器能够进行不同气体分子的识别。
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公开(公告)号:CN111537670B
公开(公告)日:2022-06-10
申请号:CN202010312318.9
申请日:2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域,本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括:第一壳体,该第一壳体的顶部设有第一凹槽和探针固定孔;第二壳体,该第二壳体的底部设有第二凹槽,该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔;其中,该通孔的一端与供气装置连接,该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好,以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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公开(公告)号:CN111537670A
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN202010312318.9
申请日:2020-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 本发明涉及气体测试设备领域,本发明公开了一种顶接触式气体测试腔及应用其的动态气体测试系统。该顶接触式气体测试腔包括:第一壳体,该第一壳体的顶部设有第一凹槽;第二壳体,该第二壳体的底部设有第二凹槽和探针固定孔,该第二凹槽与该第一凹槽通过该第一壳体和该第二壳体对接形成通孔;其中,该通孔的一端与供气装置连接,该通孔用于放置气体传感器和流通气体。本发明提供的顶接触式气体测试腔具有稳定时间短、测试效果好,以及与普通探针构成的气体测试系统具有成本低和占用空间小的特点。
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