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发明公开
包含嵌入式刀片状加热电极的半导体相变存储器单元审中-实审

公开(公告)号：CN119603975A

公开(公告)日：2025-03-11

申请号：CN202411735400.7

申请日：2024-11-29

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 周夕淋 , 郑加 , 邹茜茜 , 宋志棠

IPC: H10B63/10 , H10N70/00 , H10N70/20

Abstract: 本发明涉及一种包含嵌入式刀片状加热电极的半导体相变存储器单元，包括底部接触电路(01)、加热电极(04)、阻挡层(05)、硫系化合物材料层(07)，硬掩模(08)、顶电极(11)和绝缘介质层；所述硫系化合物材料层(07)上部通过硬掩模(08)与顶电极(11)形成电性连接；所述加热电极(04)为刀片状结构，其顶部嵌入在所述硫系化合物材料层(07)内部并与硫系化合物材料层(07)连接，其底部与底部接触电路(01)连接。本发明方法能够减少操作过程中的热损耗，提高热效率，提高相变存储器件的稳定性。

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