基于六通隔膜阀自动进样的气相色谱装置及检测方法

    公开(公告)号:CN112595790A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011549670.0

    申请日:2020-12-24

    Inventor: 冯飞 赵斌

    Abstract: 本发明提供一种基于六通隔膜阀自动进样的气相色谱装置及检测方法,六通隔膜阀基于高压载气驱动,功耗较低,且与之联用的微型电磁阀功耗较低,从而可整体降低气相色谱装置的功耗;六通隔膜阀体积小、重量轻,且与之联用的微型电磁阀体积小、重量轻,从而可整体降低气相色谱装置的体积及重量,实现气相色谱装置的微小型化;基于六通隔膜阀及电磁阀可实现气相色谱装置的自动吹扫、采样、进样及检测等功能,从而本发明有利于实现气相色谱装置的低功耗和微小型化,以提高气相色谱装置的操作便捷性,扩大气相色谱装置的应用范围。

    富集器芯片结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111483972B

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN201910075661.3

    申请日:2019-01-25

    Inventor: 冯飞 赵斌 李昕欣

    Abstract: 本发明提供一种富集器芯片结构及制备方法,制备包括:提供衬底,制备凹槽结构;制备若干个微柱结构,相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置;制备微流控端口,与所述凹槽结构相连通;及提供一盖板,并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧,且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列,可以获得大的表面积,并使得流场均匀分布,且延长气体流路路径,进而提高吸附材料的均匀性,提高吸附气体的富集率,另外,通过在腔体内表面构筑一层高比面积的介孔氧化硅,如纳米介孔氧化硅,可极大地增加腔体内的内表面积,从而进一步提高吸附材料的承载量,提高富集器芯片结构的富集率。

    富集器芯片结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN111483972A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201910075661.3

    申请日:2019-01-25

    Inventor: 冯飞 赵斌 李昕欣

    Abstract: 本发明提供一种富集器芯片结构及制备方法,制备包括:提供衬底,制备凹槽结构;制备若干个微柱结构,相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置;制备微流控端口,与所述凹槽结构相连通;及提供一盖板,并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧,且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列,可以获得大的表面积,并使得流场均匀分布,且延长气体流路路径,进而提高吸附材料的均匀性,提高吸附气体的富集率,另外,通过在腔体内表面构筑一层高比面积的介孔氧化硅,如纳米介孔氧化硅,可极大地增加腔体内的内表面积,从而进一步提高吸附材料的承载量,提高富集器芯片结构的富集率。

    基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN110203877A

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201910545104.3

    申请日:2019-06-21

    Inventor: 冯飞 赵斌

    Abstract: 本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法,制备包括:提供衬底,制备凹槽结构;制备若干个微柱结构,相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置;制备微流控端口,与所述凹槽结构相连通;及提供一盖板,并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧,且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列,可以获得大的表面积,并使得流场均匀分布,且延长气体流路路径,进而提高吸附材料的均匀性,提高吸附气体的富集率,另外,通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列,可极大地增加腔体内的内表面积,提高吸附材料的承载量,提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。

    基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法

    公开(公告)号:CN110203877B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN201910545104.3

    申请日:2019-06-21

    Inventor: 冯飞 赵斌

    Abstract: 本发明提供基于硅纳米线阵列的微富集器芯片及制备方法,制备包括:提供衬底,制备凹槽结构;制备若干个微柱结构,相邻所述微柱结构基于所述开口嵌套设置;制备微流控端口,与所述凹槽结构相连通;及提供一盖板,并将所述盖板制备于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧,且所述盖板至少覆盖所述凹槽结构。本发明通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列,可以获得大的表面积,并使得流场均匀分布,且延长气体流路路径,进而提高吸附材料的均匀性,提高吸附气体的富集率,另外,通过在腔体内表面构筑一层高比面积的硅纳米线阵列,可极大地增加腔体内的内表面积,提高吸附材料的承载量,提高基于硅纳米线阵列的微富集器芯片的富集率。

    基于电磁阀自动进样的气相色谱装置

    公开(公告)号:CN214201317U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202023154496.8

    申请日:2020-12-24

    Inventor: 冯飞 赵斌

    Abstract: 本实用新型提供一种基于电磁阀自动进样的气相色谱装置,所述气相色谱装置包括:第一三通电磁阀,所述第一三通电磁阀包括第一端口K1、第二端口K2及第三端口K3;第二三通电磁阀,所述第二三通电磁阀包括第一端口K4、第二端口K5及第三端口K6;第三三通电磁阀,所述第三三通电磁阀包括第一端口K7、第二端口K8及第三端口K9;基于电磁阀进行有序的流路切换,可实现气相色谱装置的吹扫、采样、进样及检测等功能,且采用功耗低的微型电磁阀,可降低气相色谱装置的功耗,且基于微型电磁阀的体积小、重量轻的特性,还有利于气相色谱装置的微小型化,从而本实用新型有利于实现气相色谱装置的低功耗和微小型化的发展,以提高气相色谱装置的操作便捷性,扩大气相色谱装置的应用范围。

    基于六通隔膜阀自动进样的气相色谱装置

    公开(公告)号:CN214201316U

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202023154438.5

    申请日:2020-12-24

    Inventor: 冯飞 赵斌

    Abstract: 本实用新型提供一种基于六通隔膜阀自动进样的气相色谱装置,六通隔膜阀基于高压载气驱动,功耗较低,且与之联用的微型电磁阀功耗较低,从而可整体降低气相色谱装置的功耗;六通隔膜阀体积小、重量轻,且与之联用的微型电磁阀体积小、重量轻,从而可整体降低气相色谱装置的体积及重量,实现气相色谱装置的微小型化;基于六通隔膜阀及电磁阀可实现气相色谱装置的自动吹扫、采样、进样及检测等功能,从而本实用新型有利于实现气相色谱装置的低功耗和微小型化,以提高气相色谱装置的操作便捷性,扩大气相色谱装置的应用范围。

    富集器芯片结构
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN209797478U

    公开(公告)日:2019-12-17

    申请号:CN201920133417.3

    申请日:2019-01-25

    Inventor: 冯飞 赵斌 李昕欣

    Abstract: 本实用新型提供一种富集器芯片结构,包括:衬底,形成有凹槽结构;若干个微柱结构,相邻所述微柱结构基于开口嵌套设置;微流控端口,与所述凹槽结构相连通;及盖板,形成于所述衬底形成有所述凹槽结构的一侧,并至少覆盖所述凹槽结构。本实用新型通过在凹槽结构形成的腔体内设计嵌套设置的微柱结构阵列,可以获得大的表面积,并使得流场均匀分布,且延长气体流路路径,进而提高吸附材料的均匀性,提高吸附气体的富集率,另外,通过在腔体内表面构筑一层高比面积的介孔氧化硅,如纳米介孔氧化硅,可极大地增加腔体内的内表面积,从而进一步提高吸附材料的承载量,提高富集器芯片结构的富集率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

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