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公开(公告)号：CN102185106A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110103185.5
申请日：2011-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Inventor： 许建安 , 饶峰 , 宋志棠 , 刘波 , 吴良才
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种相变存储材料及其制备方法，所述相变存储材料为硅-铋-碲的化合物，化学通式为SixBiyTe100-(x+y)，其中，10
公开(公告)号：CN102185106B
公开(公告)日：2013-05-22
公开(公告)号：CN102569644B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201010590406.1
申请日：2010-12-15
Inventor： 宋志棠 , 许建安 , 饶峰 , 吴良才 , 刘波
Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Sb2Tey-Si3N4复合相变材料及制备方法，该材料是一种含有锑、碲、氮、硅四种元素的混合物，具有可逆相变能力的Sb2Tey（1
公开(公告)号：CN102569644A
公开(公告)日：2012-07-11
