公开(公告)号：CN100446158C

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200510111624.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯涛 ,  戴丽娟 ,  蒋军 ,  王曦 ,  张正选

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示；本发明提供的方法不需图形化的印刷模版，也不需要复杂的后处理工艺，大大减少了工艺步骤和工艺成本，通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化显示。

公开(公告)号：CN1808670A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510111620.3

申请日：2005-12-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯涛 ,  王曦 ,  戴丽娟 ,  蒋军 ,  柳襄怀

IPC: H01J9/02 ,  C01B31/02

Abstract: 本发明提供一种提高印刷法制备的碳纳米管(CNT)薄膜阴极的场致电子发射性能的处理方法，通过二次热处理工艺与表面提拉工艺，除去CNT薄膜中所含的杂质，在CNT与衬底间形成良好的机械接触和电接触，并使表面CNT垂直于衬底表面，从而使CNT薄膜的场致电子发射性能得到显著改善，即使电子发射的阈值场强降低了2倍多，发射电流密度提高25～30倍左右，电子发射的点密度提高3个数量级以上且均匀性明显提高。

公开(公告)号：CN1790589A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510111624.1

申请日：2005-12-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 冯涛 ,  戴丽娟 ,  蒋军 ,  王曦 ,  张正选

IPC: H01J9/02 ,  H01J9/00

Abstract: 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示；本发明提供的方法不需图形化的印刷模版，也不需要复杂的后处理工艺，大大减少了工艺步骤和工艺成本，通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化显示。