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公开(公告)号：CN109663562A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910053294.7
申请日：2019-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/10 , C02F1/28 , B01J20/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供一种介孔二氧化硅材料对有机磷吸附速度的控制方法，根据介孔二氧化硅材料的孔壁厚度与介孔二氧化硅材料对有机磷吸附活化能之间的定量关系，通过将两种具有不同孔壁厚度的介孔二氧化硅材料按比例混合，从而获得所需的对有机磷的吸附活化能，从而实现对有机磷吸附速度的控制。本发明提供的一种介孔二氧化硅材料对有机磷吸附速度的控制方法，无需专门制备具有对有机磷特定吸附速度的介孔二氧化硅材料，克服了传统的反复试验方法存在工作量大、耗时、缺乏定量比较依据等缺点，该方法先进、具有现实的应用意义，且易于操作、价格低廉。
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公开(公告)号：CN109682711B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910067922.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联直接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：具有观测孔的悬臂梁、主芯片凹槽、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过悬臂梁的谐振用以检测位于悬臂梁上的待测样品的质量变化；通过将主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，以在主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间，并通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现对同一待测样品的形貌变化观测及质量变化检测，以进行直接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号：CN109682711A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910067922.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01N5/00 , G01N1/28 , G01N23/04 , H01J37/261
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联直接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：具有观测孔的悬臂梁、主芯片凹槽、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过悬臂梁的谐振用以检测位于悬臂梁上的待测样品的质量变化；通过将主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，以在主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间，并通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现对同一待测样品的形貌变化观测及质量变化检测，以进行直接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号：CN109663562B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201910053294.7
申请日：2019-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B01J20/10 , C02F1/28 , B01J20/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明提供一种介孔二氧化硅材料对有机磷吸附速度的控制方法，根据介孔二氧化硅材料的孔壁厚度与介孔二氧化硅材料对有机磷吸附活化能之间的定量关系，通过将两种具有不同孔壁厚度的介孔二氧化硅材料按比例混合，从而获得所需的对有机磷的吸附活化能，从而实现对有机磷吸附速度的控制。本发明提供的一种介孔二氧化硅材料对有机磷吸附速度的控制方法，无需专门制备具有对有机磷特定吸附速度的介孔二氧化硅材料，克服了传统的反复试验方法存在工作量大、耗时、缺乏定量比较依据等缺点，该方法先进、具有现实的应用意义，且易于操作、价格低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109682710A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201910067908.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: G01N5/00 , G01N1/28 , G01N23/04 , H01J37/261
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：检测悬臂梁、主芯片凹槽、具有观测孔的观测悬臂梁、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过检测悬臂梁的谐振用以检测位于检测悬臂梁上的待测样品的质量变化；主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间；TEM通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于观测悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现形貌变化及质量变化的间接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号：CN109682710B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910067908.7
申请日：2019-01-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于TEM构效关联间接原位表征的芯片及其制作方法，芯片包括主芯片及辅芯片，其中，主芯片包括：检测悬臂梁、主芯片凹槽、具有观测孔的观测悬臂梁、主芯片窗口及气孔；辅芯片包括：辅芯片窗口；通过检测悬臂梁的谐振用以检测位于检测悬臂梁上的待测样品的质量变化；主芯片及辅芯片相对设置，并分别固定于TEM样品杆上，主芯片、辅芯片及TEM样品杆之间形成闭合空间；TEM通过辅芯片窗口、观测孔及主芯片窗口观测位于观测悬臂梁上的待测样品的形貌变化。本发明可以在TEM内实现形貌变化及质量变化的间接、原位、实时表征，可广泛应用于纳米材料在气固反应过程中的TEM原位表征。
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公开(公告)号：CN111855756A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201910350247.9
申请日：2019-04-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于Pd-Ag合金纳米晶氢气传感器，包括有金属氧化物敏感材料，所述金属氧化物敏感材料的表面负载有Pd-Ag合金纳米晶颗粒。本发明进一步提供一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器的制备方法及其应用。本发明提供的一种基于Pd-Ag合金纳米晶的氢气传感器及其制备方法，能够增强氢气传感器检测氢气的灵敏度，实现协同催化作用，其制备方法简单成熟、易于操作、价格低廉，用途先进、具有现实的应用意义，对易燃易爆气体的检测等有着积极的意义。
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