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公开(公告)号：CN1184352C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN03116372.6
申请日：2003-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上 晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光束效率。
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公开(公告)号：CN1391234A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：CN02136132.0
申请日：2002-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G12B21/08
Abstract: 本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、－z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。
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公开(公告)号：CN1184668C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN02136132.0
申请日：2002-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027 , G12B21/08
Abstract: 本发明涉及一种硅尖的制作方法，更确切地说，涉及一种底部三面保护的制作硅尖方法，其特征在于：(1)在(100)硅片正面和背面，挖二条相交的槽，然后用二氧化硅保护槽的表面和硅片的正面和背面，形成二个侧面和一个硅片背面的三面保护；(2)然后，光刻正面在各向异性液中自硅片的上表面向下的各向异性腐蚀，当腐蚀深度到达底部两个槽的顶部以后，腐蚀限制在三个方向上，最后形成由一个慢腐蚀面和每条槽的一个侧面的三个面围成的硅尖。两相交的槽可以呈任意角，最常用的是90度腐蚀方向被限制在x、y、z三个方向。本发明具有制作工艺简单又克服了现有技术中腐蚀过度或不足造成的掩膜脱落现象，且重复性好。
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公开(公告)号：CN1442511A
公开(公告)日：2003-09-17
申请号：CN03116372.6
申请日：2003-04-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氢氧化钾溶液对(100)硅上 晶向的凸角补偿方法，属于微机械领域。其特征在于本发明提出了“工”字形和“Y”形二种凸角补偿方法，给出相应的计算公式。“工”形补偿可获得方正的反射面，“Y”形补偿的微镜，反射面呈底角为75.96°的图形。经补偿后的微镜，能消除或减轻KOH腐蚀的微镜削角问题，可提高光开关切换光束效率。
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公开(公告)号：CN2569170Y
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02216985.7
申请日：2002-04-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02B6/35
Abstract: 本实用新型涉及一种微机械光开关，属于微机械领域。其特征在于(1)上、下两电极分别位于二个形状相似的二个外框架内，含上电极的上外框架放在另一外框架上面，彼此由绝缘氧化物层绝缘；(2)4个V型槽位于上电极所在的外框架的上表面，它们与镜子均呈45度角；扭转梁通过扭转梁固定点固定于外框架底部，扭转梁和可动上电极相连；镜子竖直位于可动上电极的前端；(3)下电极固定在低于外框架的表面的平面面上，形成一个空间。当上外框架叠在其上并施加电压时，上、下电极间产生电压差，使上电极受到向下运动的力带动扭转梁产生扭力使镜子向下移动，处于“开”状态。因而具有驱动电压低、镜子位移大、结构的谐振频率高特点，使开关速度达十分之一毫秒量级。
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