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公开(公告)号：CN111091855B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN201811243175.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/412
Abstract: 本发明提供一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法，包括：提供一SRAM版图；对所述SRAM版图进行后道布线，将所述SRAM版图中存储单元的器件连接成单粒子翻转检测电路；基于所述单粒子翻转检测电路的输出信号监测单粒子效应敏感区域；其中，所述单粒子翻转检测电路包括由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器。本发明完全保持SRAM版图布局，只需修改后道器件的连接关系；电路为自激振荡模式，无需增加复杂的检测电路，不需使用复杂的测试系统。也不需要额外开发测试程序；可以把输出直接连接到示波器，测试的过程中可以实时监控单粒子效应敏感区域，从而方便快捷的实现SRAM SEU检测。
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公开(公告)号：CN108878426B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810561734.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
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公开(公告)号：CN109509507B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811301868.X
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109461732B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201811212888.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10B10/00 , G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的SOI六晶体管SRAM单元的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。
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公开(公告)号：CN111091855A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201811243175.X
申请日：2018-10-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/412
Abstract: 本发明提供一种基于静态随机储存单元阵列的单粒子翻转检测电路及方法，包括：提供一SRAM版图；对所述SRAM版图进行后道布线，将所述SRAM版图中存储单元的器件连接成单粒子翻转检测电路；基于所述单粒子翻转检测电路的输出信号监测单粒子效应敏感区域；其中，所述单粒子翻转检测电路包括由至少两个SRAM存储单元中的器件连接形成的环形振荡器。本发明完全保持SRAM版图布局，只需修改后道器件的连接关系；电路为自激振荡模式，无需增加复杂的检测电路，不需使用复杂的测试系统。也不需要额外开发测试程序；可以把输出直接连接到示波器，测试的过程中可以实时监控单粒子效应敏感区域，从而方便快捷的实现SRAM SEU检测。
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公开(公告)号：CN108878426A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810561734.5
申请日：2018-06-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管均采用L型栅；可以在牺牲较小单元面积的情况下(最终的有效单元面积可小于8μm2)有效抑制PD SOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力；并且本发明的静态随机存储单元的制作方法不引入额外掩膜板、与现有逻辑工艺完全兼容，单元内部采用中心对称结构，不仅有利于MOS管的尺寸和阈值电压等匹配，还有利于形成阵列，方便全定制SRAM芯片。
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公开(公告)号：CN109509507A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811301868.X
申请日：2018-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国科学院大学
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明提供一种SRAM存储单元单粒子翻转的测试电路、测试系统及方法，包括：发射脉冲激光的脉冲激光辐射装置；设置于步进机台上的被测模块，与脉冲激光辐射装置的激光出射口相对；与被测模块连接的器件供电和信号传输采集模块，用于为被测模块提供电源，并检测被测模块的单粒子翻转效应。提供一具有SRAM存储单元的被测模块，将数据写入SRAM存储单元，待器件供电和信号传输采集模块的输出信号稳定后，将SRAM存储单元配置为保持状态；开启脉冲激光辐射装置，对被测模块进行逐点辐照；当器件供电和信号传输采集模块的输出信号改变时，检测到单粒子翻转。本发明结构简单、试验费用低，基于本发明的单粒子翻转效应的研究周期短。
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公开(公告)号：CN109461732A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811212888.X
申请日：2018-10-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/412 , G11C11/417
Abstract: 本发明提供一种静态随机存储单元及其制作方法，上拉晶体管和下拉晶体管的源极均嵌有隧穿二极管结构，可以在不增加器件面积的情况下(最终的有效单元面积可小于7.5μm2)有效抑制PDSOI器件中的浮体效应以及寄生三极管效应引发的漏功耗以及晶体管阈值电压漂移，提高单元的抗噪声能力。并且本发明的SOI六晶体管SRAM单元的制作方法还具有制造工艺简单、与现有逻辑工艺完全兼容等优点，单元内部采用中心对称结构以及单元之间的共享结构，使其方便形成存储阵列，有利于缩短设计SRAM芯片的周期。
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