小型量子电阻标准器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114200373B

    公开(公告)日:2022-12-09

    申请号:CN202111498630.2

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器,包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩,固定槽板固定于固定背板上,固定槽板上设置有凹槽,芯片托槽位于凹槽内;芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔,量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内,且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接;磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上;屏蔽罩罩设于磁体模块外围,且与固定背板相固定,固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替,可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控,大大优化简化了量子电阻的环境要求,使产品集成化而无需复杂实验室条件,有利于量子电阻标准器的推广与应用。

    小型量子电阻标准器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114200373A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111498630.2

    申请日:2021-12-09

    Abstract: 本发明提供一种小型量子电阻标准器,包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩,固定槽板固定于固定背板上,固定槽板上设置有凹槽,芯片托槽位于凹槽内;芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔,量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内,且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接;磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上;屏蔽罩罩设于磁体模块外围,且与固定背板相固定,固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替,可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控,大大优化简化了量子电阻的环境要求,使产品集成化而无需复杂实验室条件,有利于量子电阻标准器的推广与应用。

    一种高重量比能量密度微能源系统、方法及其应用

    公开(公告)号:CN102324586B

    公开(公告)日:2015-04-22

    申请号:CN201110180076.3

    申请日:2011-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种高重量比能量密度微能源系统、方法及应用。其特征在于所述的系统组成为:(1)在GaAs电池背表面溅射生长Al薄膜;(2)在Al膜表面溅射沉积氮化镍钴,其通式为ComNi1-mN,式中0<m<1;(3)在氮化镍钴薄膜表面溅射沉积Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜;(4)在Li1.3Ti1.7Al0.3(PO4)3薄膜上沉积金属Li薄膜;(5)在Li薄膜表面溅射成膜一层Cu薄膜;(6)溅射(2)-(5)时在Al膜表面用不锈钢掩模板紧贴在露出未覆盖多层膜的Al表面,依次要装能源管理电路和RF模块,用金线连接GaAs电池正极、Li电池阳极、能源管理模块输出端和RF收发模块输出端。提供的高重量比能量密度高达438wh/kg,可连续5天在阴天条件下工作,为物联网节点微型化长时间供电及野外应用提供技术手段。

    一种连续波探测器测试系统

    公开(公告)号:CN104199019A

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201410378111.6

    申请日:2014-08-01

    CPC classification number: G01S7/4052 G01S13/584 G01S2007/4039

    Abstract: 本发明涉及一种连续波探测器测试系统,其中接收/发射天线用于接收与发射信号;所述接收/发射天线接收到的信号通过所述环形器至低噪声放大器进行放大,用于所述混频器的本振输入;所述波形发生器根据目标探测过程中距离信息或多普勒频率设定相应频率的波形信号;所述混频器将所述低噪声放大器放大后的本振信号与所述波形发生器产生的波形信号进行混频,得出调制信号并输出至所述可调衰减器;所述可调衰减器根据模拟目标的远近、大小设定衰减系数,模拟得到不同目标条件下的发射信号;所述环形器将模拟发射信号传送至接收/发射天线进行发射。本发明可基于地面条件下实现调频连续波距离探测与运动目标多普勒速度检测。

    一种高体积比能量密度微能源系统及其制作方法

    公开(公告)号:CN102347518B

    公开(公告)日:2014-01-22

    申请号:CN201110180049.6

    申请日:2011-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种高体积比能量微能源系统及制作方法,其特征在于所述的系统由a)用金刚石钻头在玻璃衬底上打孔,孔为两个相对的空心圆台;b)在玻璃衬底正面和背面溅射Al薄膜,Al膜的厚度填满空洞深度,实现双面Al互联;c)在Al背面依次沉积氮化钴镍、LiPON薄膜、Li薄膜和Al薄膜;d)在未覆盖电池多层膜的Al膜表面安装能源管理模块和RF收发模块;e)在玻璃正面Al表面依次沉积n型微晶硅、i型GexSi1-x,0<x<1,p型非晶硅和含3%Al的AZO;f)用Au线连接AZO、Li电池阳极、能源管理模块输出端、RF收发模块输出端。采用方法为溅射沉积方法,制作微能源系统体积比能量密度大于291.9W/L,为物联网节点微型化、便携性、长时供电及野外应用提供技术手段。

    一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN102386239B

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:CN201010271246.4

    申请日:2010-08-31

    Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法,其结构包括:半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层;P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层,二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面,通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触;阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明,在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻,同时,平面结构有效降低了工艺难度,提高了工艺成品率,更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。

    毫米波单片集成探测器组件

    公开(公告)号:CN102721959A

    公开(公告)日:2012-10-10

    申请号:CN201210225835.8

    申请日:2012-07-03

    Abstract: 本发明涉及一种毫米波单片集成探测器组件,包括射频压控振荡器、驱动电路、低噪声放大器、混频器和收发天线,所述射频压控振荡器用于根据外部系统通过不同电压波型的调节得到射频信号;所述驱动电路用于对产生的射频信号进行放大;所述收发天线用于发送放大后的射频信号;发送出的射频信号遇到探测物后产生回波信号;所述收发天线还用于接收所述回波信号;所述低噪声放大器用于放大收到的回波信号;所述混频器用于将放大后的回波信号和本振信号进行混频,得到发射时间与当前时间的射频信号的频差。本发明能够对物体尺寸进行探测,并且在目标探测过程中实现对距离、速度和加速度的测量。

    一种高体积比能量密度微能源系统及其制作方法

    公开(公告)号:CN102347518A

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN201110180049.6

    申请日:2011-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种高体积比能量微能源系统及制作方法,其特征在于所述的系统由a)用金刚石钻头在玻璃衬底上打孔,孔为两个相对的空心圆台;b)在玻璃衬底正面和背面溅射Al薄膜,Al膜的厚度填满空洞深度,实现双面Al互联;c)在Al背面依次沉积氮化钴镍、LiPON薄膜、Li薄膜和Al薄膜;d)在未覆盖电池多层膜的Al膜表面安装能源管理模块和RF收发模块;e)在玻璃正面Al表面依次沉积n型微晶硅、i型GexSi1-x,0<x<1,p型非晶硅和含3%Al的AZO;f)用Au线连接AZO、Li电池阳极、能源管理模块输出端、RF收发模块输出端。采用方法为溅射沉积方法,制作微能源系统体积比能量密度大于291.9W/L,为物联网节点微型化、便携性、长时供电及野外应用提供技术手段。

    一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及其制作方法

    公开(公告)号:CN102290595A

    公开(公告)日:2011-12-21

    申请号:CN201110180043.9

    申请日:2011-06-24

    Abstract: 本发明涉及一种全固态高循环寿命薄膜锂电池及制作方法,其特征在于薄膜锂电池组成为:①在玻璃衬底表面溅射一层Al薄膜;②在Al薄膜表面溅射沉积一层氮化镍钴薄膜,作为阳极薄膜,氮化镍钴薄膜的组成通式为ComNi1-mN(0<m<1);③在氮化镍钴薄膜的表面溅射沉积组成通式为Li1+xMxTi(PO4)3薄膜(0<x<2),M为Al、Sc、Y、Fe或Cr;④在Li1+MxTi(PO4)3薄膜上沉积一层金属锂薄膜;⑤在Li薄膜沉积Ni薄膜作为阴极集电极;⑥在Li薄膜表面覆盖封装后,且分别在阴极和阳极集电极处引出Au处。且具有制备工艺简单,不需要高温退火过程,电池按国标测定充放电循环次数达1500次,且保持电池容量80%,且可通过沉积多层膜方法实现高电压输出,在微能源、传感器以及网络方面有广泛应用。

    数字模拟混合移相电路
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102270977A

    公开(公告)日:2011-12-07

    申请号:CN201110097105.X

    申请日:2011-04-18

    Abstract: 本发明提供一种数字模拟混合移相电路。该数字模拟混合移相电路包括相连接的模拟式移相器与数字式移相器。其中,所述模拟式移相器具有第一控制端及第一信号输入端,用于根据所述第一控制端接入的相位控制信号对所述第一信号输入端接入的信号进行相应相位的移相;所述数字式移相器具有第二控制端及第二信号输入端,用于根据所述第二控制端接入的控制信号将所述第二信号输入端接入的信号进行0度或180度的移相。本发明可实现360度连续的相位调制,具有良好的相位控制精度,能够解决毫米波频段下全角度(360°)的高精度移相问题。主要应用在毫米波通信、毫米波相控阵天线等技术领域中。

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