公开(公告)号：CN1307707C

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN03151098.1

申请日：2003-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  梁军 ,  劳燕锋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料-立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺，属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层，MIS结构为：金属电极-MgZnO晶体薄膜-Si单晶-金属电极或金属电极-MgZnO晶体薄膜-SiO2- Si单晶-金属电极；MgZnO绝缘层的厚度可根据MIS器件的要求在1nm～500nm选择。其制作方法是采用光刻和化学湿法腐蚀。来发明优点是能直接在单晶Si上生长与单晶Si具有相类似的fcc晶体结构，禁带宽度大而且可调，介电常数高，因此具有大的等效厚度，工艺可与硅半导体工艺兼容，为解决半导体工业在大规模集成电路制作方面面临的小尺寸问题提供一种新的途径。

公开(公告)号：CN1599052A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN03151098.1

申请日：2003-09-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴惠桢 ,  梁军 ,  劳燕锋

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种电高介电常数(κ)材料－立方镁锌氧(MgZnO)晶体薄膜作为金属—绝缘层—半导体(MIS)结构中的绝缘层材料及制备工艺，属于微电子技术领域。特征在于生长在单晶硅衬底上的立方MgZnO薄膜为绝缘层，MIS结构为：金属电极－MgZnO晶体薄膜－Si单晶－金属电极或金属电极－MgZnO晶体薄膜－SiO2－Si单晶－金属电极；MgZnO绝缘层的厚度可根据MIS器件的要求在1nm～500nm选择。其制作方法是采用光刻和化学湿法腐蚀。来发明优点是能直接在单晶Si上生长与单晶Si具有相类似的fcc晶体结构，禁带宽度大而且可调，介电常数高，因此具有大的等效厚度，工艺可与硅半导体工艺兼容，为解决半导体工业在大规模集成电路制作方面面临的小尺寸问题提供一种新的途径。