公开(公告)号：CN1215530C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03141848.1

申请日：2003-07-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王跃林 ,  李欣昕 ,  刘文平

IPC: H01L21/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673

Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10-50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。

公开(公告)号：CN1474434A

公开(公告)日：2004-02-11

申请号：CN03141848.1

申请日：2003-07-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王跃林 ,  李欣昕 ,  刘文平

IPC: H01L21/02 ,  B82B3/00

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673

Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，其特征在于利用硅的各向异性腐蚀在介质层上硅材料上加工或硅纳米线方法。所得纳米线的截面为等腰三角形，三角形底上的高等于介质层上的硅材料厚度，控制硅材料厚度，就可得到截面尺度为10－50nm的硅纳米线；且可通过氧化进一步减细以及还可对材料进行掺杂，以制作不同导电类型的纳米线。使用本发明制作的纳米硅线，可用于研究低维半导体性质，还可以做成传感器件，电子器件，甚至发光器件等。且可批量生产，所以应用前景广阔。