公开(公告)号：CN101976677B

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201010292303.7

申请日：2010-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘燕 ,  宋志棠 ,  凌云 ,  龚岳峰 ,  李宜谨

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/22 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备方法采用原子层沉积n型ZnO多晶态薄膜的低温工艺，在成本上具有竞争力，更有望在三维堆栈相变存储器中得到广泛应用。

公开(公告)号：CN101976677A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN201010292303.7

申请日：2010-09-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 刘燕 ,  宋志棠 ,  凌云 ,  龚岳峰 ,  李宜谨

IPC: H01L27/24 ,  H01L29/872 ,  H01L29/22 ,  H01L21/82

Abstract: 本发明公开了一种基于ZnO肖特基二极管的相变随机存储器阵列及其制作方法。其结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的绝缘缓冲层；位于绝缘缓冲层上的多条字线；电连接于字线的多个ZnO肖特基二极管，分别位于每个ZnO肖特基二极管之上的第二导体层；分别位于每个第二导体层之上的相变存储层；电连接于相变存储层的多条位线，其中的ZnO肖特基二极管由第一导体层和n型ZnO多晶态薄膜组成。本发明采用由n型ZnO多晶态薄膜和金属层形成的ZnO肖特基二极管作为选通元件，使相变存储器具有更高的密度，更低的功耗和更高的性能，其制备方法采用原子层沉积n型ZnO多晶态薄膜的低温工艺，在成本上具有竞争力，更有望在三维堆栈相变存储器中得到广泛应用。