公开(公告)号：CN116826510A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310590411.X

申请日：2023-05-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 曾宪峰 ,  贾连希

IPC: H01S5/042 ,  H01S5/00 ,  G01S7/497

Abstract: 本发明涉及一种调频连续波激光雷达光源的非线性校准系统和方法，其中，系统包括：驱动模块用于基于待校准信号的采样点产生方波信号，并将方波信号作用于激光器；拍频模块包括耦合部和探测部，耦合部将激光器产生的光信号转换为类似两个不同幅值的直流信号产生的光信号，并将光信号进行拍频，得到含有方波不同幅值对应的差频光信号；探测部将差频光信号转换为电信号；校准模块用于基于电信号计算差频光信号的频率差值，将频率差值与设置的理想频率差进行比较，并在不满足误差要求的情况下对方波信号的电压值进行自适应滤波，将自适应滤波后的电压值作为新的方波信号的幅值作用于激光器。本发明能够得到更准确的拍频信息，同时降低校准难度。

公开(公告)号：CN115774302A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202111045217.0

申请日：2021-09-07

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 贾连希 ,  曾宪峰

IPC: G02B6/138 ,  G02B6/122

Abstract: 本发明提供一种铌酸锂器件的制备方法及其结构，该制备方法首先将完整的单元区域及不完整的单元区域定义出来，然后在对铌酸锂薄膜进行刻蚀时，基于该完整的单元区域及不完整的单元区域单独对其下方的铌酸锂薄膜进行刻蚀，这样对于每一个单元区域下方的铌酸锂薄膜刻蚀时，均是以硬掩膜层作为掩膜，其他区域被光刻胶层保护，这样可以对每个单元区域的铌酸锂薄膜刻蚀采用不同的刻蚀条件，进行工艺优化，避免了现有的两步掩膜刻蚀技术导致晶圆边缘处刻蚀平整度较低，晶圆边缘的粗糙、铌酸锂薄板厚度变化大的问题；另外，因为铌酸锂晶圆的价格昂贵，采用本实施例的制备方法可以有效降低铌酸锂刻蚀工艺的开发成本。