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公开(公告)号：CN115036417B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202210480717.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10B63/10
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
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公开(公告)号：CN115036417A
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202210480717.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种低功耗相变存储器的制备方法。该制备方法包括：(1)在衬底上生长第一介质层，并形成圆柱状底电极；(2)在第一介质层上形成第二介质层，光刻和刻蚀形成纵向的沟槽1，(3)在沟槽1内形成“倒几字”型相变材料层，回刻蚀；(4)在形成的侧壁相变结构上生长第三电介质层，然后生长第四电介质层并填满沟槽1，抛光；(5)生长导电薄膜层，并通过光刻和刻蚀形成纵向条状导电线条；(6)生长第五电介质层，然后生长第六电介质层并填满导电线条之间的沟槽2，抛光；(7)圆孔1光刻和刻蚀，孔内填充导电材料，然后抛光，形成顶电极。该方法制备的相变材料层以片状形式存在，大大减小了相变材料的体积有利于功耗的降低。
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公开(公告)号：CN115955843A
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202211310264.8
申请日：2022-10-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 贵研铂业股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种三维相变存储器及其制备方法，本发明是基于刀片状下电极制备的，相变材料层和选通管材料层的横向线宽通过调节沉积厚度进行控制，并使用光刻和刻蚀进行图形化，依附于侧壁上的相变材料层和选通管材料层也可采用直接刻蚀的方法形成。本发明可以大幅度缩小相变存储器单元的有效区域从而降低操作功耗，改善疲劳寿命，同时采用三维堆叠方法提高存储阵列密度。
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