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公开(公告)号：CN102241388B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
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公开(公告)号：CN102556956B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210060195.X
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法，通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来，且使孤岛从密封环内延伸到密封环外，并通过半导体层与下基板键合，实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所述MEMS器件的结构区域的内外电连接，最后真空键合上基板并开窗口露出焊盘以完成真空封装。为保证MEMS器件真空封装结构的气密性，环形隔离槽上方的绝缘层、及位于绝缘层上方的隔离槽保护环和密封环起到了至关重要的作用。本发明工艺简单、成本低且真空封装结构体积小，与CMOS工艺的完全兼容使其有较好的扩展性和较广的使用范围。
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公开(公告)号：CN102556956A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201210060195.X
申请日：2012-03-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种MEMS器件的真空封装结构及其制作方法，通过在半导体层上刻蚀环形隔离槽将孤岛从所述半导体层中隔离出来，且使孤岛从密封环内延伸到密封环外，并通过半导体层与下基板键合，实现从孤岛上的焊盘、孤岛、下基板引线直至所述MEMS器件的结构区域的内外电连接，最后真空键合上基板并开窗口露出焊盘以完成真空封装。为保证MEMS器件真空封装结构的气密性，环形隔离槽上方的绝缘层、及位于绝缘层上方的隔离槽保护环和密封环起到了至关重要的作用。本发明工艺简单、成本低且真空封装结构体积小，与CMOS工艺的完全兼容使其有较好的扩展性和较广的使用范围。
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公开(公告)号：CN102241388A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110129333.0
申请日：2011-05-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种基于Chip to Wafer叠层方式的MEMS圆片级三维混合集成封装结构及方法，其特征在于通过玻璃浆料低温键合实现MEMS器件圆片和硅盖板圆片的键合，实现圆片级气密/真空封装，完成MEMS器件可动部件的保护；采用Chip to Wafer叠层方式在硅盖板圆片表面贴装互连ASIC等CMOS芯片，实现ASIC等CMOS芯片与MEMS器件圆片的三维混合集成；将分立的集成微系统贴装在低成本的有机基板上，采用引线键合方式完成CMOS芯片、MEMS器件和基板的多层互连，并采用围坝(Dam)方式灌注(Fill)低应力塑封料以保护集成微系统，提高环境可靠性。从而形成高密度、易加工、低成本、低应力和高可靠性的MEMS圆片级三维混合集成封装结构。
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