公开(公告)号：CN104409333A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410768142.2

申请日：2014-12-12

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 夏洋洋 ,  刘波 ,  王青 ,  张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0279

Abstract: 本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl3和Ar的气体刻蚀腔中；4）在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl3和Ar激发成等离子体体，BCl3主要起化学腐蚀作用，Ar+离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。本发明选取了BCl3作为主要的化学反应气体，选取Ar气进行物理轰击，形成了表面光滑，侧壁垂直，侧壁损伤低的GeTe薄膜图形。本发明刻蚀速度很高，且能够很好的控制，具有较广泛的适用范围。

公开(公告)号：CN104409628B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201410682337.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王青 ,  刘波 ,  夏洋洋 ,  张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足：0

公开(公告)号：CN105047816A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510391019.8

申请日：2015-07-06

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王青 ,  刘波 ,  夏洋洋 ,  张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L45/06 ,  C23C14/35 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供一种Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Cr掺杂Ge2Sb2Te5相变材料的组分通式为CrxGe2Sb2Te5，其中，x为Cr元素的原子比，且满足0.5

公开(公告)号：CN104716260A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510131301.2

申请日：2015-03-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王青 ,  刘波 ,  夏洋洋 ,  张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种Sb-Te-Cr相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Sb-Te-Cr相变材料的化学通式为SbxTeyCr100-x-y，其中x、y均指元素的原子百分比，且满足30

公开(公告)号：CN104409628A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410682337.5

申请日：2014-11-24

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 王青 ,  刘波 ,  夏洋洋 ,  张中华 ,  宋三年 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明提供一种相变材料，其组分通式为CrxSbyTe1的化合物，其中，元素的原子比满足：0