公开(公告)号：CN117782179A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311799977.X

申请日：2023-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  孙米静 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  何炬星

IPC: G01D5/48

Abstract: 本发明涉及一种声表面波传感器，包括：衬底；压电薄膜，设置在所述衬底上；输入端换能器和输出端换能器，均设置在所述压电薄膜上；所述输入端换能器和输出端换能器之间形成检测区域；第一反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输入端换能器形成检测区域的相对侧；第二反射端，设置在所述电薄膜上，并位于所述输出端换能器形成检测区域的相对侧。本发明能够提高传感器的检测精度。

公开(公告)号：CN119254175A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411299344.7

申请日：2024-09-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  何炬星 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  孙米静

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的叉指电容，所述叉指电容结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极；位于所述压电薄膜下方的二氧化硅功能层；位于所述二氧化硅功能层下方的支撑衬底；其中，所述二氧化硅功能层为可选结构。本发明的叉指电容对比片外集成的IPD电容，在集成化和微型化方面有着明显的优势。

公开(公告)号：CN119254176A

公开(公告)日：2025-01-03

申请号：CN202411299391.1

申请日：2024-09-18

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  何炬星 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  房晓丽

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/25 ,  H03H3/08

Abstract: 本发明涉及一种基于异质集成压电衬底的声表面波单向发射结构，所述结构包括：提供一压电薄膜；位于所述压电薄膜上方的金属电极和汇流条；位于所述压电薄膜下方的支撑衬底；其中，所述支撑衬底的慢剪切波的相速度大于激发的声表面波的相速度。对比传统的单向发射装置，本发明在相同的线宽制程下，可以覆盖的频率是传统单向发射器的两倍；更大的叉指换能器线宽意味着在相同的工作频率下，本发明可以承受更高的功率。