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公开(公告)号：CN110174244B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201910501496.3
申请日：2019-06-11
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本申请公开了一种平面基底变间距光栅的线密度测试系统及测试方法，该线密度测试系统与传统自准直衍射法相比不存在偏心问题，与双波长消偏心衍射法相比只需单波长，不存在双波长对准问题，与单波长多级次衍射法相比可以测试高线密度光栅，与LTP法相比可以一次性测试线密度变化率大的光栅。并且，以上传统的测试手段均会受变间距光栅发散的衍射斑尺寸影响，而本申请采用直边刀口定位，不存在衍射斑尺寸限制，更适合用于大线密度变化率的变间距光栅线密度测试。
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公开(公告)号：CN103453991B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310306376.0
申请日：2013-07-20
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提出一种软X射线平焦场光谱仪的光谱分辨率提高方法，利用光栅分区的方法，在不改变光谱仪结构的前提下分别设计各分区的槽型参数，改变各分区的衍射效率，从而进一步修正像差来提高光谱分辨率。本发明的优点为：光栅制作中沿垂直于条纹方向进行分区，分别设计不同的槽型参数，改变其衍射效率分布，进一步修正像差；在保证衍射效率的前提下，选择合适的分区结构槽型参数，提高了像差较严重波长的分辨率，而且不影响其他波长的分辨率，从而使光谱仪在整个使用波段上获得较好的分辨率。
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公开(公告)号：CN103453991A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310306376.0
申请日：2013-07-20
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提出一种软X射线平焦场光谱仪的光谱分辨率提高方法，利用光栅分区的方法，在不改变光谱仪结构的前提下分别设计各分区的槽型参数，改变各分区的衍射效率，从而进一步修正像差来提高光谱分辨率。本发明的优点为：光栅制作中沿垂直于条纹方向进行分区，分别设计不同的槽型参数，改变其衍射效率分布，进一步修正像差；在保证衍射效率的前提下，选择合适的分区结构槽型参数，提高了像差较严重波长的分辨率，而且不影响其他波长的分辨率，从而使光谱仪在整个使用波段上获得较好的分辨率。
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公开(公告)号：CN107037515B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710357385.0
申请日：2017-05-19
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法，首先利用全息离子束刻蚀方法在熔石英基底上制作亚波长光栅模板；在亚波长光栅模板上滴少许PUA紫外压印胶，然后将PET薄膜盖到PUA上，利用紫外光照射PUA使其固化，将固化后的PUA与光栅模板分离，得到亚波长光栅软模；光束采样光栅的表面清洗后，在上面旋涂PMMA压印胶，将亚波长光栅软模覆盖到PMMA上面，软模光栅条纹方向与光束采样光栅条纹方向可以平行、垂直或者成角度，用夹持机构将两者压紧，放到烘箱中加热固化，将亚波长光栅软模和基底分离，在PMMA上形成亚波长光栅；然后利用氧等离子体灰化去除PMMA光栅的底层残余胶，利用到底的PMMA亚波长光栅掩模，使用CHF3反应离子束刻蚀，最后清洗去除残余胶，即得到具有增透减反效果的光束采样光栅。
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公开(公告)号：CN105403941B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510988326.4
申请日：2015-12-23
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种变间距光栅的近场全息‑离子束刻蚀制备方法，该方法利用近场全息‑离子束刻蚀技术制备高线密度变间距光栅。本发明提供的变间距光栅制备方法，与一般的全息‑离子束刻蚀光栅相比，可以简化变间距光栅的全息制作光路、降低对全息系统稳定性的要求、提高线密度重复性精度；与机械刻划方法相比，易于产生高线密度、刻面光滑的矩形槽形轮廓的变间距光栅；与常规纳米压印技术相比，本发明提供的变间距光栅，可以通过优化近场全息的曝光‑显影条件在一定范围内对所获得的其光刻胶光栅掩模的占宽比进行调控。因此，本发明对发展激光等离子体诊断、同步辐射等领域所需变间距光栅的制备技术十分重要。
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公开(公告)号：CN111856636A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010631672.8
申请日：2020-07-03
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法，解决常规近场全息方法不能直接复制及微调掩模线密度及其空间分布的问题。通过微调近场全息曝光参数和引入过渡掩模来实现线密度与初始掩模线密度分布相同或呈一定偏移的一系列线密度分布渐变的变间距光栅掩模。本发明可以有效的微调近场全息变间距光栅位相掩模的线密度分布，由此减少了对电子束光刻制作方法的依赖，降低位相掩模的制作成本，在一定程度上灵活快速地获得具有不同线密度分布的掩模，以满足不同场合的不同需求，是一种十分重要的、低成本的变间距光栅的制作方法。本发明对利用近场全息方法调控光栅线密度空间分布，在此基础上提高高精度变间距光栅的制作质量和效率十分重要。
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公开(公告)号：CN111856636B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010631672.8
申请日：2020-07-03
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种变间距光栅掩模线密度分布可控微调方法，解决常规近场全息方法不能直接复制及微调掩模线密度及其空间分布的问题。通过微调近场全息曝光参数和引入过渡掩模来实现线密度与初始掩模线密度分布相同或呈一定偏移的一系列线密度分布渐变的变间距光栅掩模。本发明可以有效的微调近场全息变间距光栅位相掩模的线密度分布，由此减少了对电子束光刻制作方法的依赖，降低位相掩模的制作成本，在一定程度上灵活快速地获得具有不同线密度分布的掩模，以满足不同场合的不同需求，是一种十分重要的、低成本的变间距光栅的制作方法。本发明对利用近场全息方法调控光栅线密度空间分布，在此基础上提高高精度变间距光栅的制作质量和效率十分重要。
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公开(公告)号：CN110174244A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910501496.3
申请日：2019-06-11
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G01M11/02
摘要： 本申请公开了一种平面基底变间距光栅的线密度测试系统及测试方法，该线密度测试系统与传统自准直衍射法相比不存在偏心问题，与双波长消偏心衍射法相比只需单波长，不存在双波长对准问题，与单波长多级次衍射法相比可以测试高线密度光栅，与LTP法相比可以一次性测试线密度变化率大的光栅。并且，以上传统的测试手段均会受变间距光栅发散的衍射斑尺寸影响，而本申请采用直边刀口定位，不存在衍射斑尺寸限制，更适合用于大线密度变化率的变间距光栅线密度测试。
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