公开(公告)号：CN117684268A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202310847781.7

申请日：2023-07-12

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所

发明人： 孟大磊 ,  王英民 ,  赖占平 ,  薛豪 ,  王增华 ,  庞越

IPC分类号： C30B29/36 ,  C30B23/00 ,  C30B35/00

摘要： 本发明涉及一种用于宽禁带半导体器件的碳化硅单晶衬底制备方法。该方法是在石墨坩埚外部设有双加热筒结构，两个加热筒产生不同的热量，以实现对碳化硅晶体和源粉的分别控温，形成用于晶体扩径生长的热场；在石墨坩埚内部，碳化硅籽晶粘接到石墨坩埚顶部的石墨盖上，对碳化硅籽晶下方采用的是经过金属碳化物镀膜处理的镀膜导流筒，镀膜导流筒以线性扩大内径尺寸，以实现碳化硅晶体在生长过程沿着镀膜导流筒内壁不断扩径，最终得到大尺寸的碳化硅单晶。减少了传统扩径生长的迭代步骤、多种热场的设计、多种生长工艺的设定以及多轮次的生长实验，节约了大量的人力、物力和时间成本，高效率的实现了无相应籽晶情况下的大尺寸碳化硅单晶的获得。

公开(公告)号：CN114182357A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111504610.1

申请日：2021-12-10

申请人： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ,  程鹏

发明人： 孟大磊 ,  王英民 ,  赖占平 ,  程鹏 ,  陈建丽 ,  薛豪

IPC分类号： C30B35/00 ,  C30B23/00 ,  C30B29/36

摘要： 本发明公开了一种碳化硅晶体的破碎晶粒用于再生长碳化硅单晶的方法。该方法包括碳化硅晶体的破碎晶粒处理过程和再生长碳化硅单晶过程；利用晶锭破碎机、精细粉碎机、输送机、多粒径选择旋转筛完成不合格晶体和晶片的破碎筛选过程，获得粒径在所需范围内的碳化硅粉碎料，再利用粉粒进行碳化硅单晶的生长。该方法提高了在半导体生产过程中不合格品的资源价值和经济价值，力争物尽其用，做到了低碳环保和降本增效。同时，使用碳化硅晶锭破碎颗粒作为碳化硅单晶生长用粉料，粉粒自身纯度比由碳和硅合成的碳化硅粉粒纯度更高，并且由于碳化硅晶粒在生长过程前段的高温下几无升华，从而可以令生长室保持高真空的状态，能够生长出纯度更高的碳化硅单晶。