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公开(公告)号：CN113943156B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111561456.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/482 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种可规模化制备HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷的方法，包括如下步骤：将HfO2粉、ThO2粉、烧结助剂混合，获得混合粉，造粒获得粉料，将粉料进行模压成型，获得复相陶瓷生坯，再于氧化气氛下烧结即得HfO2‑ThO2超高温复相陶瓷；所述模压成型采用二次保压；本发明首创的提供了一种在常压下将HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷烧结致密的方法，发明人发现，在有烧结助剂的情况下，通过压制过程中采用二次保压获得的生坯，通过在氧化气氛下烧结即能够获得致密的HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷。本发明的制备方法，由于在常压下进行烧结，无需特殊的设备，因此可以实现低成本、大规模的生产。
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公开(公告)号：CN114908322B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210838524.2
申请日：2022-07-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层及其制备方法，所述制备方法为在碳材料中设置内凹结构，然后将梯度高导热陶瓷内嵌体，置于内凹结构内中，获得含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料，再将含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料置于含硅粉的模具中，通过热蒸镀于梯度高导热陶瓷内嵌体与碳材料内凹结构的表面形成SiC过渡层，最后再于含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料的表面设置超高温陶瓷涂层，即得耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层；本发明通过在碳材料中设置梯度结构的高导热陶瓷内嵌体，然后依次进行SiC过渡层以及超高温陶瓷涂层，形成耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层，在三者的协同作用下，不仅使涂层与基体结合为一体，而且能大幅提升碳材料的抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN114908322A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210838524.2
申请日：2022-07-18
Applicant: 中南大学
Abstract: 本发明公开了一种耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层及其制备方法，所述制备方法为在碳材料中设置内凹结构，然后将梯度高导热陶瓷内嵌体，置于内凹结构内中，获得含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料，再将含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料置于含硅粉的模具中，通过热蒸镀于梯度高导热陶瓷内嵌体与碳材料内凹结构的表面形成SiC过渡层，最后再于含梯度高导热陶瓷内嵌体的碳材料的表面设置超高温陶瓷涂层，即得耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层；本发明通过在碳材料中设置梯度结构的高导热陶瓷内嵌体，然后依次进行SiC过渡层以及超高温陶瓷涂层，形成耐烧蚀三维镶嵌陶瓷涂层，在三者的协同作用下，不仅使涂层与基体结合为一体，而且能大幅提升碳材料的抗烧蚀性能。
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公开(公告)号：CN113943156A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111561456.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 中南大学
IPC: C04B35/482 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开一种可规模化制备HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷的方法，包括如下步骤：将HfO2粉、ThO2粉、烧结助剂混合，获得混合粉，造粒获得粉料，将粉料进行模压成型，获得复相陶瓷生坯，再于氧化气氛下烧结即得HfO2‑ThO2超高温复相陶瓷；所述模压成型采用二次保压；本发明首创的提供了一种在常压下将HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷烧结致密的方法，发明人发现，在有烧结助剂的情况下，通过压制过程中采用二次保压获得的生坯，通过在氧化气氛下烧结即能够获得致密的HfO2‑ThO2超高温氧化物复相陶瓷。本发明的制备方法，由于在常压下进行烧结，无需特殊的设备，因此可以实现低成本、大规模的生产。
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