公开(公告)号：CN117564266A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311421517.3

申请日：2023-10-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 蔡志勇 ,  文璟 ,  王日初

IPC: B22F1/18 ,  B22F9/22 ,  C23C18/12

Abstract: 本发明涉及一种运用溶胶—凝胶法在硅颗粒表面镀覆金属钨膜的方法，主要步骤为：S1：硅颗粒表面清洗和粗化；S2：过氧钨酸溶胶的制备；S3：硅颗粒表面镀覆及干燥；S4：氢气还原；S5：重复镀覆。本发明运用溶胶—凝胶法，将表面清洗和粗化后的硅颗粒，经过配置的过氧钨酸溶胶涂覆、干燥后，在硅颗粒表面形成一层氧化钨凝胶膜；干燥的复合粉末经过氢气还原，在硅颗粒表面形成一层完整致密的金属钨膜层结构。本发明的镀覆工艺重复性好，可用于改善金属基复合材料的界面结合性能。

公开(公告)号：CN117564267A

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202311422637.5

申请日：2023-10-30

Applicant: 中南大学

Inventor： 蔡志勇 ,  文璟 ,  王日初

IPC: B22F1/18 ,  B22F9/22 ,  B22F3/14 ,  C23C18/12 ,  C22C1/05 ,  C22C9/10

Abstract: 本发明涉及一种电子封装Cu‑Sip复合材料的制备方法，主要步骤为：S1：Si粉的表面预处理；S2：溶胶—凝胶涂覆Si颗粒；S3：Si粉氢气还原；S4：重复镀覆；S4：Cu‑Si粉末混合；S5：制备Cu‑Sip复合材料。Cu‑Sip复合材料作为一种新型电子封装材料，具有高导热、高导电、低膨胀等特点，但其制备技术仍存在较大难度，原因在于高温下Cu和Si会发生激烈的界面反应而生成Cu3Si、Cu5Si等脆性相，极大地削弱了材料的力学和热物理性能。本发明使用溶胶凝胶法在Si颗粒表面镀上一层金属W膜，在此基础上通过工艺过程和参数控制获得综合性能良好的Cu‑Sip复合材料。