公开(公告)号：CN114852953A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210392926.4

申请日：2022-04-15

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  谭皓宇 ,  刘国昌 ,  李皓璇 ,  张国军 ,  杨玉华 ,  何常德 ,  崔建功

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01H3/00

Abstract: 本发明公开了一种面向MEMS矢量水听器的十字梁敏感结构后CMOS释放方法，涉及半导体领域，尤其涉及氮化硅的侧墙保护和硅的各向异性腐蚀释放敏感结构。该方法利用在标准CMOS工艺中形成的氮化硅钝化层，作为后续步骤的刻蚀掩膜；深硅刻蚀，台阶高度为敏感结构厚度；等离子增强化学气相淀积一层氮化硅，刻蚀台阶侧壁形成氮化硅侧墙；反应离子刻蚀氮化硅；深硅刻蚀，刻蚀出腐蚀台阶；TMAH溶液腐蚀直到结构释放。本发明的工艺步骤简单、成本较低、可批量化生产。本发明的工艺能兼容CMOS工艺，能够实现MEMS矢量水听器的片上CMOS集成；该方法不仅保证了结构尺寸的精准性，而且提高了批量生产能力。

公开(公告)号：CN114812878A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210357554.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  刘国昌 ,  谭皓宇 ,  李皓璇 ,  乔庆宇 ,  张国军 ,  杨玉华 ,  何常德 ,  崔建功

IPC: G01L1/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，涉及敏感单元及其制备，具体为一种高灵敏度敏感单元及其制造方法，其包括半导体衬底、N阱和至少一块LDD超浅结，半导体衬底向上延伸有外延层，外延层进行轻的P型杂质掺杂，N阱位于外延层上，LDD超浅结位于N阱上，LDD超浅结的两端设有p+有源区，外延层表面覆盖有氧化层，氧化层上开有暴露p+有源区的窗口，窗口处暴露的p+有源区通过合金层连接有金属引线。本发明所述方法采用CMOS工艺中的超浅结漏注入方式在压阻区进行低能离子注入，使之产生LDD超浅结硅纳米膜；利用硅纳米膜的巨压阻效应敏感机制，可以大幅提高传感器的灵敏度。

公开(公告)号：CN114812878B

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202210357554.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 中北大学

Inventor： 王任鑫 ,  张文栋 ,  刘国昌 ,  谭皓宇 ,  李皓璇 ,  乔庆宇 ,  张国军 ,  杨玉华 ,  何常德 ,  崔建功

IPC: G01L1/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明属于传感器技术领域，涉及敏感单元及其制备，具体为一种高灵敏度敏感单元及其制造方法，其包括半导体衬底、N阱和至少一块LDD超浅结，半导体衬底向上延伸有外延层，外延层进行轻的P型杂质掺杂，N阱位于外延层上，LDD超浅结位于N阱上，LDD超浅结的两端设有p+有源区，外延层表面覆盖有氧化层，氧化层上开有暴露p+有源区的窗口，窗口处暴露的p+有源区通过合金层连接有金属引线。本发明所述方法采用CMOS工艺中的超浅结漏注入方式在压阻区进行低能离子注入，使之产生LDD超浅结硅纳米膜；利用硅纳米膜的巨压阻效应敏感机制，可以大幅提高传感器的灵敏度。