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发明公开
基于晶体相场法预测应变加载对微裂纹扩展影响的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114255825A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111579394.7

申请日：2021-12-22

Applicant: 中北大学

Inventor： 侯华 , 李欢庆 , 裴嘉琪 , 彭敦维 , 赵宇宏

IPC: G16C10/00 , G16C60/00

Abstract: 本发明具体是一种基于晶体相场法预测应变加载对微裂纹扩展影响的方法，属于晶体模拟领域。该方法包括以下步骤：(1)建立单模晶体相场模型，包括亥姆霍兹自由能方程和动力学方程；(2)确定时间和空间离散的数值求解方法；(3)初始化条件与参数设置，设置动态/静态应变加载方法及温度、取向角对照组；(4)将动态/静态应变加载以及不同取向角、温度等参数引入到单模晶体相场模型，动态展示晶体微裂纹扩展行为过程。本发明所述方法针对动态/静态应变加载条件下纳米单晶材料裂纹扩展行为，分析晶粒取向角和温度对裂纹扩展行为影响规律，得到纳米单晶在单轴静态拉伸和动态拉伸作用下微裂纹的组织形貌及扩展机制。

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