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发明公开
器件制作用晶圆的制造方法无效

公开(公告)号：CN112930422A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980069147.7

申请日：2019-09-19

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 矢吹纪人 , 坂口卓也 , 神野明香 , 野上晓 , 北畠真

IPC: C30B29/36 , C30B33/02 , H01L21/265 , H01L21/324

Abstract: 在器件制作用晶圆(43)的制造方法中，对在SiC晶圆(40)上形成有单晶SiC的外延层(41)的SiC外延晶圆(42)，进行使存在于该SiC外延晶圆(42)的外延层中的基面位错密度降低的基面位错密度降低工序，而制造为了制作半导体器件而使用的器件制作用晶圆(43)。在基面位错密度降低工序中，通过在为了降低基面位错密度而需要的既定时间内，不于SiC外延晶圆(42)上形成盖层，而是在Si蒸气压力下加热SiC外延晶圆(42)，一边抑制表面粗化一边降低基面位错密度。

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