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公开(公告)号：CN103526173A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310528453.7
申请日：2013-10-30
Applicant: 东南大学
Abstract: 本发明是一种通过锡和锌共掺杂制备低铟含量氧化铟锡薄膜的方法，低铟含量氧化铟锡ITO薄膜采用磁控溅射技术制备，所用的靶材为掺Sn量为4-10%wt的ITO陶瓷靶，在其上覆盖直径为1-3cm，厚度为0.3-0.5cm，纯度为99.0-99.99%wt的ZnO陶瓷靶材，在玻璃衬底上制备出低铟含量的高质量ITO透明导电薄膜；锡和锌掺杂量为10%-25%wt，沿（400）面择优取向、膜厚均匀为1300-1800nm，薄膜电阻率为2-9×10-3Ω.cm，透光率>90%；In含量为75%-90%wt。克服通过单一掺杂技术制备ITO薄膜的局限，即Sn的最大掺入量不能超过10%。能够实现电子和空穴有效复合掺杂,大幅度提高掺杂总量，从而降低ITO薄膜的铟含量，实现降低成本和保护资源环境的目的。
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