一种低熔点金属提纯方法

    公开(公告)号:CN108611500B

    公开(公告)日:2019-10-25

    申请号:CN201810677352.9

    申请日:2018-06-27

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明公开了一种低熔点金属提纯方法,所述方法为:①将MAX相粉末与含有A金属组元的被提纯合金按比例混合,并于球磨机中球磨;②将上述经过球磨的粉体冷压成薄片;③将薄片置于热处理炉中,在接近A金属熔点TA温度下热处理1~300min,然后自然降温;④在室温下放置1~30天,待试样表面生长出A金属晶须;⑤收集样品表面的A金属晶须。本发明的提纯方法具有工艺简单、成本低、环保、提纯所得金属纯度高等优点,解决了目前金属提纯技术中存在的工艺复杂、成本高、环境污染等问题。

    一种Ag/C@Ti3AlC2触头材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109797307A

    公开(公告)日:2019-05-24

    申请号:CN201910018412.0

    申请日:2019-01-09

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明涉及一种Ag/C@Ti3AlC2触头材料的制备方法,其步骤为:通过溶液中反应在Ti3AlC2粉末表面原位合成一层酚醛树脂有机物,再通过高温煅烧使有机物分解为碳层,包覆在Ti3AlC2颗粒表面。再将碳包覆Ti3AlC2(C@Ti3AlC2)粉体作为Ag基增强相,经过混粉、压片和无压烧结,制成Ag/C@Ti3AlC2触头复合材料。本发明通过在Ti3AlC2表面形成碳层,作为Ag与Ti3AlC2界面阻隔层,限制Al与Ag原子相互扩散形成新相层,有效抑制了Ag与Ti3AlC2在高温烧结过程中界面结构失稳、Ti3AlC2中Al原子脱嵌、以及界面反应层的形成,保证了触头材料导电导热性能,以及提高了耐电弧侵蚀性能。本发明所制备的触头材料,Ti3AlC2在Ag基体中分布均匀,导电性能良好,使用性能有大幅度提升。本发明工艺简单,成本低廉,有实际的工业生产价值。

    一种Ag-MXene触头材料及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN107146650B

    公开(公告)日:2019-03-12

    申请号:CN201710303531.1

    申请日:2017-05-03

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: H01B1/02 H01B1/04 H01R4/58

    摘要: 本发明公开了一种Ag‑MXene触头材料及其制备方法与用途。其中增强相MXene包括Ti3C2,Ti2C,Ta4C3,Ti3CN,Nb2C,V2C,Nb4C3,(Ti0.5,Nb0.5)2C,(V0.5,Cr0.5)3C2。制备方法包括以下步骤:①按质量百分比的比例称取Ag粉和MXene粉;②将上述称取的Ag‑MXene粉末充分混合,得到均匀混合物;③将混合后的粉料置于模具中压制成坯体;④将坯体置于烧结炉中,在惰性气氛或真空保护下,以一定升温速率加热到处理温度并保温,得到触头材料。本发明所涉及的原料易得,所用设备和制备工艺简单,生产过程环保,产品适合大规模应用于接触器、继电器、断路器等低压电器开关材料。

    一种含铬钢筋的钝化方法

    公开(公告)号:CN106350854B

    公开(公告)日:2019-01-29

    申请号:CN201610826857.8

    申请日:2016-09-14

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: C25D11/36 C25D11/00

    摘要: 本发明涉及一种含铬钢筋的钝化方法,属于金属材料表面处理领域。该钝化方法包括以下步骤。预处理:将钢筋工件作为阴极,与阳极同时浸入质量分数为5%‑15%的碳酸盐或磷酸盐清洗液中,并在两电极之间施加直流电场,去除工件表面油污以及氧化皮。表面钝化:交换正负极,使工件作为阳极,继续施加直流电场一定时间,在新鲜表面形成稳定致密的钝化膜。后处理:降低电压至工件表面等离子体消失,维持一定时间后,将工件清洗干燥,工艺完成。该发明在环境友好的盐溶液中,利用连续的阴极和阳极电解质等离子体技术去除钢筋表面的氧化皮并形成稳定致密的钝化膜,提高钢筋耐腐蚀性。该技术工艺简单、操作方便、且成本低、污染少,是一种高效、环保的钝化方法。

    一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法

    公开(公告)号:CN112608165A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011492213.2

    申请日:2020-12-17

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: C04B37/02

    摘要: 本发明公开了一种氮化铝陶瓷基板表面覆铜方法,包括以下步骤:步骤一:将氮化铝陶瓷片放置在水溶液中进行水解,然后通过热处理,使得氮化铝表面水解产物分解成为Al2O3陶瓷层;步骤二:将预氧化的Cu与预处理的氮化铝表面相对贴合,在低于Cu熔点温度下烧结,生成表面覆铜的氮化铝陶瓷基板。本发明通过水解和热处理手段在氮化铝表面形成Al2O3陶瓷层,水解产物分解形成的Al2O3陶瓷层晶型、厚度可控,有利于后续覆铜烧结。

    一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法

    公开(公告)号:CN109811399A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201910071310.5

    申请日:2019-01-25

    申请人: 东南大学

    摘要: 本发明公布了一种尺寸可控Ga2O3纳米管的制备方法,包括以下步骤:1)制备MAX相Cr2GaC-Ga粉末;2)将MAX相Cr2GaC-Ga粉末置于球磨机中球磨,得到球磨后的粉体;3)将球磨后的粉体冷压成薄片,并置于-60℃~28℃的温度条件下培养1min~1000min,自发生长得到不同尺寸的Ga晶须;4)在空气或氧化气氛中自然或加速氧化Ga晶须后,加热到30℃~1900℃去除Ga晶须内部金属Ga,根据氧化时长获得不同壁厚的一维Ga2O3纳米管。该制备方法具有工艺简单、密度高、速度快、成本低、环保等优点,解决了目前一维Ga2O3纳米材料制备领域中存在的工艺复杂、制备时间长、产率低等问题。

    一种Ag‑MXene触头材料及制备方法和用途

    公开(公告)号:CN107146650A

    公开(公告)日:2017-09-08

    申请号:CN201710303531.1

    申请日:2017-05-03

    申请人: 东南大学

    IPC分类号: H01B1/02 H01B1/04 H01R4/58

    CPC分类号: H01B1/02 H01B1/04 H01R4/58

    摘要: 本发明公开了一种Ag‑MXene触头材料及其制备方法与用途。其中增强相MXene包括Ti3C2,Ti2C,Ta4C3,Ti3CN,Nb2C,V2C,Nb4C3,(Ti0.5,Nb0.5)2C,(V0.5,Cr0.5)3C2。制备方法包括以下步骤:①按质量百分比的比例称取Ag粉和MXene粉;②将上述称取的Ag‑MXene粉末充分混合,得到均匀混合物;③将混合后的粉料置于模具中压制成坯体;④将坯体置于烧结炉中,在惰性气氛或真空保护下,以一定升温速率加热到处理温度并保温,得到触头材料。本发明所涉及的原料易得,所用设备和制备工艺简单,生产过程环保,产品适合大规模应用于接触器、继电器、断路器等低压电器开关材料。