公开(公告)号：CN101199038A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021380.0

申请日：2006-03-06

Applicant: 东亚合成株式会社

Inventor： 新妻裕志 ,  饭沼和久

IPC: H01L21/027 ,  B01D61/14 ,  G03F7/42 ,  H01L21/304

CPC classification number: B01D61/145 ,  G03F7/422 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明提供一种在不更换剥离液的情况下将半导体用晶片或液晶用基板等基板表面上的光敏抗蚀剂被膜从基板上除去的方法。使以在一个分子中具有两个以上氧的有机环状化合物例如碳酸亚烷基酯为主成分的剥离液与所述基体表面上的光敏抗蚀剂被膜接触，除去所述被膜后，对含在剥离液中的所述被膜成分进行超滤处理，由此从剥离液中去除，将去除了所述被膜成分的剥离液循环再利用于基体表面上的有机被膜的除去。提供具有有机被膜的基体表面的有机被膜的除去装置，其特征在于，包括：导入新剥离液，且导入处理后的剥离液的混合剥离液贮槽；从混合剥离液贮槽机构向接触槽供给剥离液的机构；收容具有有机被膜的基体的基体固定器；从基体固定器取出具有有机被膜的基体，并导入接触槽中，在接触槽内，使剥离液与基体的具有有机被膜的表面接触，使有机被膜溶解于剥离液中，从基体表面除去有机被膜，从接触槽捞出除去了有机被膜的基体的机构；从接触槽排出溶解有机被膜的剥离液；导入从接触槽排出的剥离液的膜滤装置；使从膜滤装置排出的剥离液循环，并使所述剥离液返回到混合剥离液贮槽的机构。本发明的除去方法在经济性或安全性上出色，对环境也不产生不良影响。