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公开(公告)号：CN101107196A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200680002738.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10784
Abstract: 本发明的目的在于提供从含有硅烷醇作为杂质的六氯化二硅原料中高效地除去硅烷醇，得到高纯度的六氯化二硅的方法。本发明的六氯化二硅的精制方法具有使含有六氯化二硅和作为杂质的硅烷醇的六氯化二硅原料与活性炭等吸附材料接触，将硅烷醇除去的工序。可以还具有进行蒸馏的工序。上述各工序优选在惰性气体气氛下进行。
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公开(公告)号：CN101107196B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200680002738.5
申请日：2006-03-17
Applicant: 东亚合成株式会社
IPC: C01B33/107
CPC classification number: C01B33/10784
Abstract: 本发明的目的在于提供从含有硅烷醇作为杂质的六氯化二硅原料中高效地除去硅烷醇，得到高纯度的六氯化二硅的方法。本发明的六氯化二硅的精制方法具有使含有六氯化二硅和作为杂质的硅烷醇的六氯化二硅原料与活性炭等吸附材料接触，将硅烷醇除去的工序。可以还具有进行蒸馏的工序。上述各工序优选在惰性气体气氛下进行。
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公开(公告)号：CN1668912A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN03817302.6
申请日：2003-08-08
Applicant: 东亚合成株式会社
Inventor： 木全良典
CPC classification number: G01N21/3504 , G01N21/0317 , G01N21/05 , G01N2021/115
Abstract: 本发明的目的在于利用红外线吸收光谱法迅速并且高精度检测硅化合物中硅烷醇基的浓度。硅化合物与大气中的水分等接触立即发生反应，生成硅烷醇基。因此在进行检测时，必须不使试样与外部空气接触，以及完全除去密室内部附着的微量水分。在本发明中，通过使用耐压性密室，可以短时间除去密室内的水分。即，本发明的第一技术方案是硅烷醇基浓度检测方法，在利用红外线吸收光谱方法检测硅化合物中硅烷醇基的浓度时，将硅化合物填充到密室内之前，至少反复两次进行下述工序：将密室内部压力保持在20Pa以下的工序以及保持在0.2－1MPa的工序。然后将硅化合物导入密室，检测红外线吸收光谱，以检测该硅化合物中硅烷醇基的浓度。第二技术方案是耐20Pa以下减压和0.2－1MPa加压的红外线吸收光谱检测用密室。
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公开(公告)号：CN100424496C
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN03817302.6
申请日：2003-08-08
Applicant: 东亚合成株式会社
Inventor： 木全良典
CPC classification number: G01N21/3504 , G01N21/0317 , G01N21/05 , G01N2021/115
Abstract: 本发明的目的在于利用红外线吸收光谱法迅速并且高精度检测硅化合物中硅烷醇基的浓度。硅化合物与大气中的水分等接触立即发生反应，生成硅烷醇基。因此在进行检测时，必须不使试样与外部空气接触，以及完全除去密室内部附着的微量水分。在本发明中，通过使用耐压性密室，可以短时间除去密室内的水分。即，本发明的第一技术方案是硅烷醇基浓度检测方法，在利用红外线吸收光谱方法检测硅化合物中硅烷醇基的浓度时，将硅化合物填充到密室内之前，至少反复两次进行下述工序：将密室内部压力保持在20Pa以下的工序以及保持在0.2-1MPa的工序。然后将硅化合物导入密室，检测红外线吸收光谱，以检测该硅化合物中硅烷醇基的浓度。第二技术方案是耐20Pa以下减压和0.2-1MPa加压的红外线吸收光谱检测用密室。
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