公开(公告)号：CN104911706A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510328712.0

申请日：2015-06-15

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 张灿云 ,  邹军 ,  徐家跃 ,  孔晋芳 ,  王凤超 ,  杨波波 ,  李龙 ,  孙孪鸿

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

CPC classification number: C23C18/1258

Abstract: 本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370-390oC，ZnO薄膜的厚度为150-250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。

公开(公告)号：CN104911706B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201510328712.0

申请日：2015-06-15

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 张灿云 ,  邹军 ,  徐家跃 ,  孔晋芳 ,  王凤超 ,  杨波波 ,  李龙 ,  孙孪鸿

IPC: C30B29/16 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02

CPC classification number: C23C18/1258

Abstract: 本发明一种超快闪烁ZnO薄膜的制备方法，包括一个酸处理单晶硅片的步骤，量取浓硫酸和浓磷酸，将浓硫酸和浓磷酸混合后，加热，将单晶硅片放入其中，保持温度持续10~40min，然后自然冷却，取出单晶硅片，先采用乙醇清洗，然后采用超声波清洗，最后吹干，将上述处理后的单晶硅片作为衬底材料，采用磁控溅射薄膜沉积技术，在衬底上制备一层厚度为40~60nm的ZnO薄膜作为籽晶层,在上述ZnO籽晶层上采用超声喷雾热解法沉积ZnO薄膜，雾气输送载气为N2，沉积温度范围为370‑390oC，ZnO薄膜的厚度为150‑250nm。通过本发明的法得到的ZnO薄膜具有（002）择优取向特征、强紫外发射和超快闪烁性能。

公开(公告)号：CN204387765U

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201520040724.9

申请日：2015-01-21

Applicant: 上海应用技术学院

Inventor： 郭春凤 ,  邹军 ,  王凤超 ,  张灿云

IPC: F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  F21Y101/02

Abstract: 本实用新型涉及一种三维立体发光LED灯泡，包括灯罩、三维立体发光的LED灯丝、芯柱、导电引出线、灯头绝缘部件、驱动电源和灯头导电部件，所述灯罩的灯罩口与所述芯柱上端口形成密封的灯体；所述芯柱内设有导气管，所述芯柱伸入所述灯罩内，其上端固定一卡槽，卡槽内卡住所述三维立体发光的LED灯丝。本实用新型灯丝的封装无需包覆荧光粉，简化了工艺过程。仅需一灯丝设置在芯柱上端的卡槽上，然后通过灯体和灯头的封装，实现LED灯泡的三维立体发光，该封装具有焊点少、结构简单、封装时间短、成本低等优点。