公开(公告)号：CN100524749C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610029137.5

申请日：2006-07-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 林良 ,  王玉洋 ,  毛军发 ,  尹文言

IPC: H01L27/00 ,  H01F17/00

Abstract: 一种微电子技术领域的硅基多层螺旋差分电感。本发明包括：衬底、六层二氧化硅层、六层金属螺旋线圈、连接通孔、金属导体和端口，第一层二氧化硅层设置在硅衬底上，六层金属螺旋线圈分别对应设置在六层二氧化硅层上，端口与第六层金属螺旋圈处在一个平面上，它与第一层金属螺旋线圈的导体两侧分别相连，不同层的金属螺旋线圈通过连接通孔连接后再与金属导体相连。本发明结构简单，易于实现，能够使寄生电容降到最低，从而获得较高的自谐振频率和较高的品质因数。本发明的最佳连接方式极大地减小了电场储能引起的寄生电容，从而可以很大程度上提高微电感的高频性能，具有广泛的用途。

公开(公告)号：CN1889265A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200610029137.5

申请日：2006-07-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 林良 ,  王玉洋 ,  毛军发 ,  尹文言

IPC: H01L27/00 ,  H01F17/00

Abstract: 一种微电子技术领域的硅基多层螺旋差分电感。本发明包括：衬底、六层二氧化硅层、六层金属螺旋线圈、连接通孔、金属导体和端口，第一层二氧化硅层设置在硅衬底上，六层金属螺旋线圈分别对应设置在六层二氧化硅层上，端口与第六层金属螺旋圈处在一个平面上，它与第一层金属螺旋线圈的导体两侧分别相连，不同层的金属螺旋线圈通过连接通孔连接后再与金属导体相连。本发明结构简单，易于实现，能够使寄生电容降到最低，从而获得较高的自谐振频率和较高的品质因数。本发明的最佳连接方式极大地减小了电场储能引起的寄生电容，从而可以很大程度上提高微电感的高频性能，具有广泛的用途。