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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1217487C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN00806760.0
申请日：2000-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H03K17/0828 , H03K17/168
Abstract: 本发明涉及具备IGBT等的自消弧型半导体并且具有上述半导体的保护功能的电源模块，特别地能够保护IGBT免于受到短路电流的损坏。当流过电流传感器的传感电流IS超过设定值时，马上对于集电极·栅极间的接合电容(13)进行充电并且使得集电极电压VCE马上上升，能够防止集电极电流IC的增加，此后能够将IGBT(12)的栅极电压VGE保持为稍大于阀值电压的电压，在一定时间之后，通过使得IGBT(12)截止，即使对于将集电极·发射极间的饱和电压VCE(sat)设定得较低的IGBT，也能够保护免于受到短路电流的损坏。
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公开(公告)号：CN1404204A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02120469.1
申请日：2002-05-24
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H02M7/487 , H02M7/5395
Abstract: 本发明提供一种通过在自消弧元件间换向时，形成最短的换向回路以减小换向回路的阻抗并防止自消弧元件损坏的三电平逆变器门控装置及方法。该装置为自消弧元件T1～T4以及在箝位二极管D5、D6的两端子间分别与自消弧元件T5、T6反向并联连接的门控装置，具备生成导通控制指令SP、SN的PWM电路2、包含根据各导通控制指令生成供给各自消弧元件门信号ST1～ST6的延迟电路组的门控电路3，同时对自消弧元件T3、T5进行导通控制，同时对自消弧元件T2、T6进行导通控制。
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公开(公告)号：CN1348627A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN00806760.0
申请日：2000-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H03K17/0828 , H03K17/168
Abstract: 本发明涉及具备IGBT等的自消弧型半导体并且具有上述半导体的保护功能的电源模块,特别地能够保护IGBT免于受到短路电流的损坏。当流过电流传感器的传感电流IS超过设定值时,马上对于集电极·栅极间的接合电容(13)进行充电并且使得集电极电压VCE马上上升,能够防止集电极电流IC的增加,此后能够将IGBT(12)的栅极电压VGE保持为稍大于阀值电压的电压,在一定时间之后,通过使得IGBT(12)截止,即使对于将集电极·发射极间的饱和电压VCE(sat)设定得较低的IGBT,也能够保护免于受到短路电流的损坏。
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公开(公告)号：CN1416211A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02148286.1
申请日：2002-11-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明揭示一种电力变换装置，能在直流短路时由从直流电容器通过电力变换器放电的短路电流确实保护自灭弧元件。在直流电路的端子P，N间将第1开关4与直流电容器3串联连接。第1开关4由与自灭弧元件反向并联连接的二极管构成，第1开关4的自灭弧元件与第2电力变换器2的各支臂的自灭弧元件一起使用电压驱动型自灭弧元件。且，将第1开关4的自灭弧元件的开门电压VP1设定得低于第2电力变换器2的自灭弧元件的开门电压VP2。
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公开(公告)号：CN1348626A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN00806603.5
申请日：2000-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0251 , H02H1/043 , H03K17/0828
Abstract: 本发明涉及具备IGBT等的自消弧型半导体并且具有上述半导体的保护功能的电源模块,特别地涉及能够防止IGBT的过电流误检测的电源模块。考虑到感测发射极电流IS的上跳而来决定电阻(11)的阻值R3并且为了使得与感测发射极电流IS上跳之后的衰减时间常数相等而根据电容(10)的容量C3决定时间常数(C3×R3),由此能够防止感测发射极电流IS的上跳引起的过电流的误检测。
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