公开(公告)号：CN112750801A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011146157.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  木村义孝 ,  江草稔 ,  浅地伸洋 ,  勅使河原一成

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。

公开(公告)号：CN112750801B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202011146157.7

申请日：2020-10-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石桥秀俊 ,  木村义孝 ,  江草稔 ,  浅地伸洋 ,  勅使河原一成

IPC: H01L23/49 ,  H01L25/16

Abstract: 功率半导体装置(100)具有：功率半导体元件(10)；控制电路(50)，其对功率半导体元件(10)进行控制；控制基板(51)，其安装有控制电路(50)；盖(60)，其以在第1方向(A)上与控制基板(51)的至少一部分重叠的方式配置；以及至少一个外部连接端子(70)，其具有与控制基板(51)连接的第1部分(71)、与外部设备连接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)与第2部分(72)之间且与盖(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)构成为压配合部。